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反应烧结MoSi2-SiC复相材料电阻率的拓扑研究

张小立 , 吕振林 , 金志浩

稀有金属材料与工程

用拓扑法计算了不同显微组织的MoSi2-SiC材料的电阻率,得到的理论推算结果与实验值吻合很好.研究结果表明,提高高电阻率SiC的体积分数和降低MoSi2-SiC分布的连续性,可提高MoSi2-SiC材料整体的电阻率.该方法可用来预测要得到所需电阻率材料中应具有的SiC含量和分布形态,为确定MoSi2-SiC复相材料的显微结构设计提供指导.

关键词: MoSi2-SiC , 复相材料 , 电阻率 , 连接程度