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Fe元素对ZnO陶瓷晶界电性能的影响机理研究

王立惠 , 甘国友 , 孙加林 , 严继康

材料导报

研究了不同浓度的Fe2O3掺杂对ZnO陶瓷压敏特性的影响,实验表明,随Fe掺杂量增加,ZnO平均晶粒尺寸逐渐变大,压敏电压升高,非线性系数先增大后减小,漏电流先减小后增大.分析认为,Fe元素掺杂对ZnO陶瓷电性能的影响不仅与电子的能级有关,还与其自旋特性紧密相连.ZnO中掺杂的Fe元素随机取代其中的部分Zn原子后,Fe3+或Fe2+在ZnO中产生局域磁矩,会对与其取向不同的自旋电子产生强的散射,这样可增大ZnO陶瓷的电阻率,Fe元素在晶界的偏析可产生和提高其非线性特性.

关键词: 压敏材料 , 电性能 , 过渡元素 , 自旋相关输运

Zr,Yb,Cr对Al-Zn-Mg-Cu合金组织、断裂和局部腐蚀行为的影响

方华婵 , 巢宏 , 陈康华 , 张茁

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2015.08.003

研究复合添加稀土元素Yb和过渡元素Zr,Cr对Al-Zn-Mg-Cu超高强合金组织、强韧性和局部腐蚀(晶间腐蚀和剥落腐蚀)性能的影响.结果表明:单独添加Zr和复合添加Cr,Yb的合金均发生了再结晶现象,合金的强度、韧性和腐蚀抗力均较低.而在Al-Zn-Mg-Cu合金中复合添加Zr,Yb,Cr形成大量10 ~ 20 nm、共格的固溶部分Zn,Mg,Cu的(Al,Cr)3 (Zr,Yb)弥散相,这些均匀分布于基体的细小共格弥散相能强烈钉扎位错和亚晶界,抑制基体再结晶,使合金亚晶界上的析出相与晶内近似,晶界无沉淀析出带(PFZs,precipitate-free zones)不明显.复合添加Zr,Yb,Cr的Al-Zn-Mg-Cu合金在保持高强度和塑性的同时,沿晶断裂抗力和局部腐蚀抗力显著提高.T6态Al-Zn-Mg-Cu-Zr-Yb-Cr合金的断裂机制主要为韧窝型断裂,剥落腐蚀等级降至EA.再结晶晶界成为超高强Al-Zn-Mg-Cu合金腐蚀和断裂的优先扩展路径.

关键词: 稀土Yb , 过渡元素 , 弥散相 , 再结晶 , 局部腐蚀

无铬CO高温变换催化剂的研究Ⅱ.过渡元素对高变催化剂结构与性能的影响

郑起 , 徐建本 , 魏可镁 , 魏明灯 , 林性贻

催化学报

通过XRD,BET和XPS表征及反应性能测定表明,铁系高变催化剂中加入的过渡元素能够进入Fe3O4晶格形成固溶体,并使催化剂的晶胞参数随着加入元素离子半径的增大而增大,晶粒度明显变小,比表面积增大,起到铬的作用,催化剂的活性和热稳定性提高.发现部分过渡元素具有富集OH-的特性,使催化剂在较低的汽/气比条件下具有较高的催化活性.研制成功的B121型无铬高变催化剂性能达到铁铬系高变催化剂的技术指标.

关键词: 铁系催化剂 , 高温变换 , 过渡元素 , 结构 , 性能

AlN基稀磁半导体的研究进展

王腊节 , 聂招秀

材料导报

主要介绍了AlN基稀磁半导体(DMS)的研究进展,包括其发展过程、AlN基DMS的研究现状,描述了理想的AlN基DMS材料应具备的特征,并展望了其未来的研究方向.

关键词: AlN , 稀磁半导体 , 居里温度 , 掺杂 , 过渡元素

过渡元素掺杂NiTi合金的第一性原理研究

席蒙 , 尚家香

稀有金属

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法系统的计算了3d、4d和5d过渡元素掺杂的NiTi.合金晶格参数、形成能、弹性常数和电荷密度,探讨了合金元素的占位倾向以及对马氏体相交温度的影响.计算结果表明,V、Cr、Mn、Fe、Co、Pd、Cu各族元素倾向于占据Ni位;Sc、Y、Zr、Hf倾向于占据Ti位.V、Cr、Mn、Fe、Co各族元素和Pd、Pt取代Ni,V、Cr、Mn、Fe各族取代Ti能够不同程度的降低NiTi合金的相变温度Ms;Hf、Zr、Au、Ag取代Ni以及Sc、Y、Hf、Zr取代Ti为能够升高NiTi合金的相变温度Ms;Cu取代Ni则基本不改变NiTi合金的相变温度Ms.这些结果与实验结果一致,进而从微观角度解释了合金元素对相变温度的影响规律.

关键词: 过渡元素 , NiTi合金 , 第一性原理计算

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