尹玲娣
,
田素贵
,
张禄廷
,
刘宝柱
,
洪鹤
,
徐永波
,
胡壮麒
钢铁研究学报
通过计算合金元素的扩散迁移率和EDAX分分析,研究了γ'相筏形化过程中元素的扩散规律.结果表明:分配比值大的合金元素,扩散迁移率较大;分配比值小的合金元素,扩散迁移率较小.由于W元素具有较大的原子半径,较小的分配比值和扩散系数,因而相对稳定.所以W元素可阻碍其它元素的扩散速率,随其含量的增加,合金中γ'相筏形化时间延长.
关键词:
单晶
,
镍基高温合金
,
γ'相
,
定向粗化
,
扩散
,
迁移率
王侠
人工晶体学报
采用MOCVD制备了带有MN插入层AlGaN/GaN异质结构外延材料,对外延材料分别进行了原子力显微镜AFM、双晶XRD以及变温HALL测试.测试结果表明:具有AlN插入层的外延材料表面非常平整,10 μm × 10 μm范围样品的表面均方根粗糙度RMS仅为0.302 nm,AlGaN势垒层衍射峰更尖锐,材料结构特性良好,大大提高了AlGaN/GaN异质结的2DEG面密度和迁移率,280 K和300 K时沟道电子迁移率分别为4736 cm2/V·s和1785 cm2/V·s,比无MN插入层的传统结构得到的结果分别提高了45.7％和23.4％.
关键词:
MOCVD
,
AlN插入层
,
AlGaN/GaN异质结构
,
外延
,
迁移率
王伟
,
石家纬
,
姜文海
,
郭树旭
,
张宏梅
,
马东阁
,
全宝富
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.017
在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom-contact organic thin-film transistors,BCOTFTs)和顶电极(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响.结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC-OTFTs器件三个数量级.研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响.结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道区域的电场,可积累更多的电荷,以填充更多的陷阱,使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高.
关键词:
有机薄膜场效应晶体管
,
顶电极
,
底电极
,
迁移率
陶春兰
,
董茂军
,
张旭辉
,
孙硕
,
张福甲
,
李东仓
,
欧谷平
功能材料
报道了以聚酰亚胺(polyimide)作为绝缘层,并五苯作为活动层的一种全有机场效应晶体管.利用原子力显微镜(AFM)分析了聚酰亚胺薄膜及其表面并五苯薄膜的形貌;采用顶电极接触结构,测量出其场效应晶体管的输出特性曲线,并得出其场效应迁移率为0.079m2/(V·s),开关电流比约为104.
关键词:
聚酰亚胺
,
并五苯
,
AFM
,
有机场效应晶体管
,
迁移率
郑定山
,
邹旭明
,
蒋涛
人工晶体学报
利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性.对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论.结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨导值达0.85 μS,最大开关比达108,场效应迁移率高达436.3 cm2/(V·s),载流子浓度达6.6×1017 cm-3.
关键词:
InAs纳米线
,
场效应晶体管
,
阈值电压
,
迁移率
宋贵宏
,
柳晓彤
,
孟雪
,
王亚明
,
陈立佳
,
贺春林
人工晶体学报
利用高真空磁控溅射设备并顺序沉积Cr、Ti和Si层并随后在500℃真空退火6h,在Si(100)衬底上,获得不同Ti掺杂量的CrSi2薄膜.场发射扫描电镜观察表面形貌显示,沉积薄膜具有7～8 nm的晶粒且尺寸比较均匀,Ti含量增加,晶粒尺寸略有增加;X射线衍射谱显示沉积薄膜具有单一CrSi2点阵(111)晶面择优取向,在1.16at％到1.74at％的Ti含量范围内,随Ti含量的增加,CrSi2纳米薄膜的(111)择优取向的程度下降,同时,Ti含量增加,薄膜CrSi2点阵常数增加,这表明Ti在CrSi2晶体中以替位形式存在.随着Ti含量增加,沉积薄膜的霍尔系数降低,空穴浓度增加,同时薄膜空穴载流子的迁移率和Seebeck系数单调下降;受空穴浓度增加和迁移率降低的影响,随Ti含量增加,沉积薄膜电导率和功率因子呈现先增加达到最大值后又下降的趋势.
关键词:
CrSi2薄膜
,
电导率
,
迁移率
,
Seebeck系数
汤春苗
,
陈志蓥
,
朱博
,
张浩然
,
张亚欠
,
曹一江
,
于广辉
材料科学与工程学报
在CVD石墨烯的转移过程中无法避免会出现胶残留,导致了材料不必要的p型掺杂.研究表明,通常来自这种残余胶的p型掺杂影响了石墨烯的电学特性.本文发现NaOH溶液能够有效地去除这种PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯(C5H8O2)x)中的含氧官能团,减少胶残留,并首次将其运用在CVD生长的石墨烯单层薄膜上.通过不同浓度NaOH溶液的选择,我们有效地解决了NaOH与SiO2/Si衬底反应的问题.处理结果显示,通过NaOH溶液浸泡石墨烯的载流子浓度变为原来的三分之一甚至更少,而且处理效果最明显的石墨烯样品的迁移率从880cm2/Vs升高到2260cm2/Vs.同时我们比较了水和NaOH处理效果的稳定性,结果显示用水处理的样品迁移率很快回到了处理前的数据,而用NaOH溶液处理的石墨烯薄膜迁移率最终稳定在原有迁移率的1.5倍.
关键词:
石墨烯
,
迁移率
,
PMMA
,
NaOH
郑泽伟
,
沈波
,
陈敦军
,
郑有炓
,
郭少令
,
褚君浩
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.011
通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象.用Dingle作图法得到本样品τq的大小为0.17 ps.结果表明,本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g*.用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g*增强效应.在磁阻测量中改变磁场方向,自旋分裂现象表现出各向异性.用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性.
关键词:
调制掺杂
,
AlxGa1-xN/GaN
,
异质结构
,
二维电子气
,
迁移率
,
有效g因子
