秦丹丹
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乔建房
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邵刚
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王海龙
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许红亮
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卢红霞
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张锐
稀有金属材料与工程
选用α-SiC(4～10 μm)作为主晶相,SiO2-CuO作为晶界绝缘层,以两步包裹法制备SiC-SiO2-CuO复合颗粒.干压成型后,在不同温度下常压烧结制得边界层电容器.采用SEM、XRD及密度测试等手段对烧结品进行性能分析.结果发现:1300 ℃为最佳烧结温度,该温度下最高介电常数(ε)为713 100;电容器具有正的介温系数,介电常数在50 ℃附近急剧增大,而介质损耗(tanδ)在该温度点急剧降低,60 ℃之后两者均趋于稳定,这可能与界面处产生的空间电荷极化有关;电容器具有强烈的频率色散效应.
关键词:
SiC
,
边界层电容器
,
介电常数
,
介质损耗
