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氨化硅基Ga2O3/Al2O3制备GaN薄膜的发光特性研究

魏芹芹 , 薛成山 , 孙振翠 , 曹文田 , 庄惠照 , 董志华

稀有金属材料与工程

研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响.样品的荧光光谱在347 nm有一强发光峰,在412 nm有一弱发光峰,这两个峰的强度都随着氨化温度的升高和氨化时间的增长而增强,但峰的位置保持不变.我们认为347 nm的峰是GaN的带边发光峰由于薄膜中晶粒尺寸的减小而蓝移造成的,而412 nm的发光峰则来源于导带到杂质受主能级的辐射复合.

关键词: GaN薄膜 , 荧光光谱 , 带边发射 , 辐射复合

用于辐射复合与双电子复合实验的低能离子闪烁探测器

孟令杰 , 马新文 , 刘惠萍 , 岳珂 , 张鹏举

原子核物理评论

为了在CSRm的电子冷却器上进行辐射复合以及双电子复合实验,需要探测能量小于4MeV/u的离子,因此设计了新的置于超高真空环境的CsI(T1)闪烁探测器,探测器采用的光电倍增管为R7525(Hamamatsu).介绍了新闪烁探测器的结构,并对其进行了性能测试.测试结果表明,该探测器对高、低能离子均有良好的响应,探测器的信号十分明显.探测器的最高计数率可以达到106 ions/s,并且探测器附近的真空度可达10-10 Pa量级,能够满足辐射复合与双电子复合实验以及储存环对真空的要求,为今后在CSRm上进行复合实验打下了良好的基础.

关键词: 辐射复合 , 双电子复合 , CsI(T1)闪烁探测器 , 低能离子 , CSRm

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