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纳米孪晶Cu中局部剪切应变诱导的退孪生行为*

白敬胜 , 卢秋虹 , 卢磊

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2015.00503

对择优取向纳米孪晶结构Cu样品进行室温轧制变形. 微观结构研究发现, 当变形压下量为15%时, 样品中出现了与轧制方向呈30o~45°方向(最大剪切应力方向)分布的退孪生带. 退孪生带中孪晶片层明显粗化, 孪晶界上出现大量Shockley位错. 塑性变形过程中较小应变时, 纳米孪晶Cu中局部退孪生机制是协调局部剪切应变的主要机制.

关键词: Cu , 纳米孪晶 , 轧制形变 , 退孪生 , 剪切应变

孪晶片层结构在室温轧制过程中的微观结构演变

卢秋虹 , 隋曼龄 , 李斗星

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.01.003

研究了一种具有纳米孪晶片层结构的电解沉积铜的微观结构特征及其在室温轧制形变后的微观结构演变.结果表明,电解沉积制备的纯铜样品由柱状晶组成,柱状品内含有平行于样品沉积表面的纳米量级厚度的高密度孪晶片层结构,在孪晶界上缺陷很少,为共格孪晶界.形变后,孪晶片层的微观结构特征与片层厚度密切相关.粗大的孪品片层的形变行为以全位错运动为主,而细小的孪晶片层的形变行为以肖克莱(Shockley)位错在孪晶界上的滑移为主,从而导致几个纳米厚的超细孪晶片层消失.

关键词: 金属材料 , 孪晶片层 , 轧制形变 , Shockley不全位错 , 透射电子显微学

纳米孪晶Cu中局部剪切应变诱导的退孪生行为

白敬胜 , 卢秋虹 , 卢磊

金属学报 doi:10.11900/0412.1961.2015.00503

对择优取向纳米孪晶结构Cu样品进行室温轧制变形.微观结构研究发现,当变形压下量为15%时,样品中出现了与轧制方向呈30°~45°方向(最大剪切应力方向)分布的退孪生带.退孪生带中孪晶片层明显粗化,孪晶界上出现大量Shockley位错.塑性变形过程中较小应变时,纳米孪晶Cu中局部退孪生机制是协调局部剪切应变的主要机制.

关键词: Cu , 纳米孪晶 , 轧制形变 , 退孪生 , 剪切应变

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