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EB-PVD工艺中基板温度对材料形成过程的影响

单英春 , 赫晓东 , 李明伟 , 李垚

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2006.01.009

针对电子束物理气相沉积(EB-PVD)设备的特点,研究基板温度对材料形成过程的影响.首先建立薄膜生长的基本扩散模型,然后用嵌入原子法(EAM)计算扩散激活能,以入射粒子跃迁概率表征入射原子在表面上的稳定程度,研究基板温度对低能Ni在Ni表面上扩散过程的影响.分别在较低(250～450K)和较高(750～1 000 K)两种温度下进行上述计算.研究结果表明,基板温度对跃迁概率的影响存在临界值,Ni为375 K;当基板温度低于375 K时,基板温度对跃迁概率影响很小,而当基板温度高于375 K时,跃迁概率随基板温度增加呈指数增长;基板温度较低(Ni低于375 K)时入射原子在表面上不扩散,易形成多孔疏松状材料,而较高的基板温度则有利于密实材料的形成.

关键词: EB-PVD , 薄膜生长 , 基板温度 , 跃迁概率

电离度效应对重类氢离子跃迁概率的影响

张国营 , 韩奎 , 殷春浩 , 吴玉喜

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.z1.003

在高电离态类氢离子的新势函数模型下, 电子近核区域运动的相对论效应、有限核效应、量子电动力学(QED)等效应已被电离度效应所取代. 利用包含电离度效应的类氢离子波函数, 系统研究了电离度效应对重类氢离子电偶极跃迁概率的影响. 发现电离度效应使类氢He+9至Pm+60离子的跃迁概率相对增加3.55 %-10.38 %. 这有利于实验研究者估价自己测量到的原子或离子状态的正确性.

关键词: 电离度效应 , 重类氢离子 , 跃迁概率 , 影响因子

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