蔡小五
,
海潮和
,
王立新
,
陆江
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.019
由于"Silicon Limit"的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区从而形成超结结构.利用ISE-TCAD模拟器进行工艺器件模拟,模拟结果表明击穿电压最大有40%的提高,同时导通电阻也有明显的降低.采用高能注入形成超结VDMOS为减小VDMOS导通电阻提供了一种切实有效的方法.
关键词:
VDMOS
,
超结
,
击穿电压
,
导通电阻
