王天生
,
田永君
,
于栋利
,
迟振华
,
胡前库
,
罗晓光
稀有金属材料与工程
用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高.
关键词:
MgB2薄膜
,
微观结构
,
超导电性
,
热丝化学气相沉积
杨大威
,
张小兰
,
杨素华
,
李平原
,
张芸
,
陈永亮
,
张勇
,
潘熙峰
,
闫果
低温物理学报
采用机械合金化法制备了一系列的Nb3Al1-xSix(x=0～0.2)多晶样品,利用高能球磨机获得Nb(Al,Si)固溶体,然后在900℃的温度下烧结将固溶体转变为超导相.XRD测试结果表明,经3小时高能球磨后Al和Si固溶到Nb中形成Nb(Al,Si)固溶体,烧结后的样品具有较好的单相性,为A15型晶体结构,并且晶格随掺杂量的增加逐渐减小.磁性测量结果表明,纯样Nb3Al的Tc约为14 K,随掺Si量的增加Tc逐渐减小.结合EDX分析,所有Nb3Al1-xSix样品的超导电性来源于A15相,但由于随掺杂量的增加样品中Al的含量逐渐减少导致了Tc逐渐减小.
关键词:
Nb3Al超导体
,
超导电性
单迪
,
熊晓梅
,
刘国庆
,
焦高峰
,
闫果
,
周廉
材料导报
以干燥的B粉和Mg粉为原料,采用分步反应法制备了SiC(40～45μm)掺杂的MgB2/Nb/Cu超导线材.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了在650℃热处理温度下不同掺杂量对所制备样品的相组成、微观结构的影响.采用标准四引线法测定了样品的电阻温度曲线,结果表明,当该工艺第二步热处理温度为650℃时,反应不完全,应适当升高温度;同时高SiC掺杂量有利于在MgB2线材中引入更多B位C掺杂,表现为Tc略有降低,从而提高了其磁通钉扎特性.
关键词:
MgB2超导线材
,
SiC掺杂
,
微观结构
,
超导电性
郭志超
,
索红莉
,
刘志勇
,
刘敏
,
马麟
功能材料
PIT(powder in tube)法制备了MgB2超导材料;用Campbell法测量了样品的外加交流磁场bac与磁通渗透深度λ′的关系,并计算得到样品在外磁场中的临界电流密度;讨论了bac-λ′,曲线误差形成的原因和选取曲线平稳部分为计算有效段原则;Campbell法测量考虑了样品的整体结构影响电流的特性,得到的结果更切合超导材料的实际临界电流密度.
关键词:
MgB2超导材料
,
Campbell法
,
临界电流密度
,
超导电性
樊占国
,
司平占
,
苏大和
中国稀土学报
通过对Nd1+xBa2-xCu3O7-δ的两种样品(烧结样品和区域熔炼样品)的XRD谱图分析，研究了高温氩气氛下热处理对样品中Nd对Ba的取代值x的影响，同时比较了不同样品的Tc和Jc值。研究表明,氩气下950℃热处理可以减少Nd对Ba的取代,Tc和Jc都有不同程度的提高。对不同固溶度x值的Nd1+xBa2-xCu3O7-δ进行吸氧热处理,样品在热处理前后分别作XRD分析。从XRD谱图可以看出：当x＜0.4时,样品经吸氧后可以从四方相转变为正交相,而当x＞0.4时,样品虽经长时间吸氧也不能使其从四方相转变为正交相。
关键词:
稀土
,
Nd1+xBa2-xCu3O7-δ超导体
,
热处理
,
固溶度
,
超导电性
王天生
,
田永君
,
彭炜
,
漆汉宏
,
李林
稀有金属材料与工程
研究基片斜切角度对YBCO薄膜微观结构及超导电性能的影响.采用脉冲激光沉积(PLD)法在0°～6°斜切(001)SrTiO3基片上制备了具有c取向的YBCO薄膜.用XRD和TEM对薄膜微观结构进行了分析,用标准四引线法测定薄膜电阻-温度关系,从而确定薄膜的超导电性能.结果表明,随斜切角度的增大,薄膜晶体质量下降,晶格弯曲畸变程度增大,超导临界转变温度降低,转变宽度增大.
关键词:
YBCO薄膜
,
微观结构
,
斜切基片
,
超导电性
朱亚波
,
崔玉亭
,
王万录
材料导报
具体阐述了碳纳米管用于红外探测的可行性以及在单壁碳管内实现超导态的实验方法.对用碳纳米管阵列制作红外探头的理论基础、典型特性和技术状况均进行了讨论.此外,具体分析了用"接近诱导法"实现碳纳米管的超导电态的实验方法,即将单壁碳纳米管束或单个碳纳米管嵌放在两个超导电极之间,在一定的条件下,有可能在碳管内诱导出超导电流.已有的实验显示碳纳米菅内超导电流的临界值较大,并表现出特殊的对温度和磁场的依赖性.
关键词:
碳纳米管阵列
,
红外探测
,
单壁碳纳米管
,
超导电性
王庆阳
,
闫果
,
刘国庆
,
焦高峰
,
熊晓梅
,
冯勇
,
张平祥
低温物理学报
采用Nb/Cu复合管作为外包套材料,通过原位法粉末装管工艺(PIT)制备了C掺杂MgB_2 /Nb/Cu线材.在高纯流动氩气保护条件下、650～950℃温度区间内烧结2h微观结构分析显示,通过该工艺制备的MgB_2/NbZr/Cu线材具有良好的晶粒连结性和较高的致密度.X射线衍射(XRD)分析表明在750℃左右可以生成纯度较高的MgB_2相,在低温和高温下烧结后均有杂相峰出现,并且高温烧结后所生成的相结构较为复杂.采用四引线法超导临界电流的测试结果表明,低温烧结后的线材具有超导电流传输性能,而当热处理温度超过750℃时,样品中的电流传输状态表现为正常电阻态.实验结果证实采用Nb作为原位法MgB_2超导线材的包套阻隔层时,成相热处理一般应该在低于750℃的温度下进行.
关键词:
二硼化镁线材
,
热处理温度
,
碳掺杂
,
超导电性
朱五林
,
马永青
,
李徽
,
曹帅
低温物理学报
本文研究了La2Cu1-xVxOv+δ(0≤x≤0.08)的结构及电输运性质.用Rietveld方法对所有样品的X射线衍射谱进行了拟合.结果表明,全部样品都具有正交对称性,晶胞参数随掺杂量的增加几乎没有变化.随着V掺杂量增加到0.08,而La2Cu1-xVxO4+δ中过量氧的平均值从0.006增加到0.007.没有掺杂的样品由于氧过量而存在相分离状态,体系中存在超导相与绝缘相的竞争相互作用.随着V掺杂量增加,超导相受到破坏,我们认为,V掺杂对超导电性抑制的原因可能是载流子浓度的减少和载流子的局域化所致.
关键词:
晶体结构
,
相分离
,
超导电性
,
载流子局域化
