方家光
,
方进
,
罗霄鸣
,
顾晨
,
朱清
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.008
超导带材交流损耗的测量是判断带材性能好坏的重要手段,也能为研究超导带材的交流损耗机理提供很好的方法. 文章介绍了采用传输电流法测量交流损耗的基本原理和要解决的技术难点,并详细讨论了采用不同的比较信号对测量结果的影响,指出利用超导体的零电阻特性,在小电流I(I
关键词:
交流损耗
,
BSCCO带材
,
超导性
,
传输电流法
张俊良
,
张思佳
,
翁红明
,
于晓辉
,
张巍
,
杨留响
,
刘清青
,
冯少敏
,
望贤成
,
禹日成
,
曹烈兆
,
张首晟
,
戴希
,
方忠
,
靳常青
低温物理学报
通过高压电阻测量，发现了拓扑绝缘体化合物BizTe3压力诱导的超导性，在3-6GPa的压力范围内，超导临界温度L约为3K．高压下原位同步辐射的结果证明这个超导相来源于常压相结构．通过霍尔效应的测量，发现超导的Bi2Te3样品的载流子为P型．对高压同步辐射结果Reitveld精修得到的晶格参数和原子位置，并以此进行第一性原理计算，得到的高压下的电子结构仍然保持其拓扑不平凡性．由于Bi2Te3的体超导态和Dirac型的表面态之间的近邻效应，可以出现拓扑超导性．文章也讨论了其体态为拓扑超导体的可能性．
关键词:
拓扑绝缘体
,
高压
,
超导性
,
Bi2Te3
马金元
,
孙爱民
,
郑龙
,
魏桂丹
低温物理学报
本文采用改进的固相反应烧结法成功制备了一系列Mg1-xAlxB2(x=0.00～0.15)超导体,并对它们的成相、结构和超导特性作了研究.发现随着Al掺入量的增加晶格参数及临界转变温度都有减小的趋势.本文对此现象的产生原因作了分析,结果表明可能是由于Al原子引起的缺陷和Al2O3的生成及样品中Al分布不均匀所形成的MgAlB4共同影响了MgB2的结构,而MgB2结构的改变最终又引起它超导性的变化.
关键词:
MgB2
,
Al掺杂
,
结构
,
超导性
张安民
,
刘永长
,
史庆志
,
韩雅静
材料导报
简单化合物MgB2超导性的发现引起了世界科学家对其组织结构、超导原理、制备方法及应用前景的广泛兴趣.针对MgB2单晶制备过程中存在镁的气化温度很低,MgB2在镁的沸点以下溶解度很小等不利因素,在国际上率先提出了从过冷熔体中的相选择与控制入手,采用深过冷快速定向凝固技术来制备高品质、大尺寸MgB2单晶的新思路.
关键词:
MgB2
,
超导性
,
单晶
,
深过冷
,
快速凝固
单迪
,
闫果
,
周廉
,
李成山
,
王庆阳
,
张胜楠
,
熊晓梅
,
刘国庆
稀有金属材料与工程
研究了Ti3SiC2掺杂对MgB2的晶格参数(a)、微观结构、超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc)的影响.随着Ti3SiC2掺杂量的增加,晶格参数a逐渐变小,表明了C进入晶格代替B位的发生.随着掺杂量的增加,超导转变温度Tc从37.15K降低到36.55K.利用Bean模型通过M-H磁滞回线计算了样品的Jc值.结果表明,在低场区域,未掺杂样品的Jc值高于Ti3SiC2掺杂样品的Jc值.然而随着磁场的进一步增大,适量掺杂的样品Jc值得到提高.
关键词:
MgB2块体
,
Ti3SiC2掺杂
,
超导性
