阙端麟
,
杨德仁
,
沈德忠
,
洪啸吟
材料导报
我国微电子技术和产业与西方发达国家相比,有明显差距.这主要是由于靠仿制或进口,忽视了创新性和学科交叉研究等原因.但是我国也有一些与微电子有关的研究取得了十分重要的成果,如可用于0.1μm超大规模集成电路的微氮单晶硅研制,可作为193 nm紫外光光源用的非线性光学晶体硼酸铯锂的制备,无显影气相光刻技术等,它们是源头创新性成果.基于这种情况,提出了关于加强微电子关健材料与技术的应用基础研究的投入的建议,上述研究的进一步发展,可开发一条具有自主知识产权的新型深亚微米微电子的技术路线.
关键词:
微电子
,
单晶硅
,
非线性学光晶体
,
光刻
,
超大规模集成电路
杨志刚
,
钟声
功能材料
随着集成电路的特征尺寸减小至深亚微米以下,互连延迟成为集成电路性能进一步提高的主要障碍.为解决互连延迟带来的危机,国际上已开发出以铜为互连材料,大马士革工艺为制造方法的铜互连工艺以取代亚微米时代的铝互连工艺.本文介绍了大马士革工艺中铜金属化以及阻挡层的研究现状.
关键词:
超大规模集成电路
,
金属化
,
铜互连
,
阻挡层
张炜
,
成旦红
,
王建泳
,
郁祖湛
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2005.12.011
铜具有比铝更低的电阻率、更优异的抗电迁移性能,使用铜作为互连线材料不但可以减少RC延迟,而且还能提高集成电路的可靠性.在超大规模集成电路(ULSI)制造中用铜取代铝作为互连材料的铜互连技术发展非常迅速,铜互连工艺采用了许多新的技术,其中电沉积铜就是核心技术之一.介绍了目前ULSI铜互连中电沉积铜技术所涉及到的镀液组成、脉冲电流的应用、电沉积装置和性能等方面的研究状况.
关键词:
电沉积铜
,
脉冲电沉积
,
超大规模集成电路
,
互连
辜敏
,
杨防祖
,
黄令
,
姚士冰
,
周绍民
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2004.01.004
利用铜代替铝作为超大规模集成电路的互连接线,代表了半导体工业的重要转变.铜电沉积是互连"大马士革"(Damascene)工艺中最为重要的技术之一.综述了铜在芯片微刻槽中电沉积填充的过程、机理,并着重讨论了实现无裂缝和无空洞理想填充的主要因素-镀液的组成和添加剂的影响.
关键词:
铜
,
电沉积
,
微刻槽
,
填充
,
超大规模集成电路
钟声
,
李厚民
,
杨志刚
,
王静
稀有金属材料与工程
讨论了碱性化学镀铜成分中CuSO4、还原剂HCHO以及NaOH的浓度对化学镀效果的影响,得到了适合超大规模集成电路铜金属化的化学镀溶液成分.然后研究了酸性和碱性化学镀铜结合方法在铜布线制造方面的应用.首先采用分离酸性化学镀方法在TiNi/Ti/SiO2/Si基板的TiN进行化学镀,制造一层铜籽晶层,而后采用碱性化学镀铜方法制造铜膜.通过对化学镀铜膜形貌和结晶方面的研究发现:籽晶层对铜膜最终形貌和择优取向有较大的影响.
关键词:
酸、碱化学镀
,
铜布线
,
籽晶层
,
超大规模集成电路
