曾庆圣
,
何宏辉
,
霍天成
,
王天石
,
何劼
,
杜建成
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2005.05.008
研究了镁合金AZ31在磷酸盐和硅酸盐两种不同的溶液体系下生成氧化膜的性质,比较了多种因素,特别是负电压对于生成氧化膜的影响;并且通过X射线衍射(XRD)等方式分别确定了两种不同溶液条件下氧化膜的成分.结果表明:较低的负电压有利于氧化膜的生长,延缓二次放电现象的发生.在我们得到的氧化膜中,最主要的成分为高温相的MgO,不同于以往条件下得到的普通相MgO氧化膜,能提高镁合金的一部分性能.
关键词:
镁合金
,
微弧氧化
,
氧化膜
,
负电压
,
等离子体
何宏辉
,
曾庆圣
,
王天石
,
霍天成
,
何劼
,
杜建成
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2006.02.028
研究了AZ31镁合金在不同电压条件下的成膜效果,着重研究了在固定正电压而改变负电压的情况下的成膜厚度、致密度、耐腐蚀性能等差别,讨论了负电压在成膜过程中的作用,并且比较了在不同的溶液体系中负电压对于成膜性能以及二次放电现象的影响.结果表明:较低的负电压能在一定程度上促进氧化膜的生长,使致密的氧化层变厚,提高膜的性能.而高负电压会加速成膜速度并导致较为剧烈的二次放电现象,使膜的致密性降低,从而降低膜的性能.
关键词:
镁合金
,
微弧氧化
,
负电压
