王永强
,
胡芳芳
,
谢军
,
崔博源
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.01.009
为了研究气体绝缘组合电器(GIS)盆式绝缘子存在气隙缺陷时的电场变化规律,以800 kV GIS盆式绝缘子为研究对象,建立了三维仿真模型,基于有限元原理仿真计算了GIS盆式绝缘子内部分别含有气泡及缝隙等典型气隙缺陷时的电场分布,并分析了气泡位置及大小、缝隙分布方向及宽度对盆式绝缘子电场的影响规律.仿真结果表明:电场畸变主要出现在缺陷处,气泡表面最大场强比无气泡时增大50％左右,较高场强区气泡表面的场强能够引起气体电离;气泡半径对场强变化的影响不到6％;横向裂缝场强最大增大约1.78倍,远大于径向裂缝场强的变化;径向裂缝越宽,裂缝最大场强越大;横向裂缝越宽,场强畸变越小.
关键词:
气体绝缘组合电器
,
盆式绝缘子
,
气泡缺陷
,
裂缝缺陷
,
场强畸变
王永强
,
胡芳芳
,
李长元
,
王巨伟
,
崔博源
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.01.015
受制作工艺及运行条件影响,GIS盆式绝缘子较易产生气泡、裂缝等典型内部缺陷.采用有限元法对252 kV盆式绝缘子内部存在气泡、裂缝时不同受力状态下的应力进行分析,并与正常情况下绝缘子的应力进行比较.结果表明:对绝缘子凹凸两面同时施加SF6气体压力时,绝缘子的应力最大;绝缘子存在内部缺陷时,应力变化集中在缺陷处;存在气泡时,气泡处应力变化具有波动性,且气泡位于不同位置,应力变化有所不同,气泡位于绝缘子中间部位时应力变化较大;存在裂缝时,裂缝中间部位应力变小,但裂缝两端出现应力奇异性,应力最大值达到正常情况下的9倍左右,且裂缝应力平均值变大.
关键词:
盆式绝缘子
,
气泡缺陷
,
裂缝缺陷
,
有限元
,
应力分析
彭燕
,
宁丽娜
,
高玉强
,
徐化勇
,
宋生
,
蒋锴
,
胡小波
,
徐现刚
人工晶体学报
利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布.显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿<11(2-)0>方向容易出现裂缝.裂缝两侧有不同的生长形貌.拉曼光谱结果显示缺陷两侧为不同的晶型,裂缝实际为晶型转化的标志.纵切片观察发现,在4H-SiC和15R-SiC多型交界处产生平行于<11(2-)0>方向裂缝;15R-SiC多型一旦出现,其径向生长方向平行于<11(2-)0>方向,轴向生长方向平行于<000(1-)>方向.
关键词:
4H-SiC
,
裂缝缺陷
,
晶型转变
