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叶好华 , 于广辉 , 雷本亮 , 齐鸣 , 李爱珍
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.013
研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延(HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响.X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明,不同的氮化时间导致Al2O3 表面的成核层发生变化,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布.
关键词: GaN , 衬底氮化 , 氢化物气相外延
