柳琴
,
刘成
,
叶晓军
,
郭群超
,
李红波
,
陈鸣波
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.008
研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响.发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT太阳电池的开路电压.对电池制备工艺综合优化后,得到了基于n型晶体硅的光电转换效率为16.75％ (Voc =0.596V,Jsc=41.605mA/cm2,FF =0.676,AM1.5,25℃)的HIT太阳电池.
关键词:
晶体硅/非晶硅异质结(HIT)
,
太阳电池
,
表面钝化
,
少子寿命
杜文龙
,
刘永生
,
司晓东
,
雷伟
,
徐娟
,
郭保智
,
林佳
,
彭麟
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.029
随着晶体硅太阳电池技术的不断发展,硅片的厚度不断降低,电池表面钝化对提高太阳能电池转化效率变得尤为重要.本文介绍了表面钝化膜在晶体硅太阳电池中的应用,以及几种晶体硅电池表面钝化方法,包括等离子体增强化学气相沉积法、氢化非晶硅、热氧化法、原子层沉积法以及叠层钝化,并分别介绍了它们在应用上的优缺点.分析了制备钝化膜过程中存在的问题,并提出了相应措施及发展趋势.表面钝化技术是提高晶体硅电池转换效率最有效的手段之一,今后晶体硅电池表面钝化技术仍将是国内和国际研究的热点之一.
关键词:
太阳电池
,
表面钝化
,
转化效率
,
钝化膜
张翔清
,
孟庆裕
,
陈宝玖
,
孙佳石
,
程丽红
,
彭勇
,
于涛
功能材料
采用化学自燃烧方法制备了Eu3+掺杂的Y2O3纳米晶粉末材料,并在制备过程中引入了少量的Ag+离子.计算了Eu3+的5D0能级的发光的内量子效率,发现Ag+离子的加入可以使发光的量子效率最大增加12%.通过发射光谱的测量发现荧光最大可增强约50%,通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、荧光激发和发射光谱研究证实Ag+离子的引入产生两个方面的作用:(1)是能够部分地消除表面的无辐射中心,使量子效率提高,发光增强;(2)是使激发光能够更有效地到达发光中心,提高激发效率,从而使荧光产额提高.
关键词:
内量子效率
,
表面钝化
,
荧光增强
,
Y2O3:Eu3+
曾祥斌
,
徐重阳
,
饶瑞
,
JOHNNY K O Sin
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.04.020
采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力,钝化的微观机理是NH3和N2O等离子体中和了p-Si薄膜的悬挂键,形成牢固的Si-N键,减少了表面态密度.
关键词:
NH3
,
N2O
,
表面钝化
,
p-Si TFT
周晶晶
,
肖少庆
,
姚尧
,
顾晓峰
人工晶体学报
本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(SiH4)、氮气(N2)和氢气(H2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(SiNx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征.采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果.结果表明,氮硅原子比为0.4的SiN0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29％,而且其钝化效果最好.最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 mV.
关键词:
SiNx
,
等离子体化学气相沉积
,
表面钝化
,
容性放电
罗政纯
,
朱世富
,
赵北君
,
王瑞林
,
陈松林
,
何知宇
,
李艺星
,
任锐
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.008
用双氧水对CdSe单晶(110)表面进行钝化,采用X射线光电子能谱(XPS)分析了湿氧处理的CdSe(110)表面的化学特征.通过两次不同分析模式FAT(固定通能)和FRR(固定减速比)所得到的结果表明:CdSe表面出现Se偏析,表面上形成了SeOx(x＜1),SeO、Cd(OH)2和CdCO3的高电阻稳定氧化层,消除了器件表面态,可以减少器件的表面漏电流和改善其信噪比.
关键词:
CdSe单晶体
,
表面钝化
,
XPS
