夏曙光
,
李志新
,
王增林
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2011.06.009
聚碳酸酯表面金属化处理后广泛应用于生产、生活的各个领域.利用环境友好的二氧化锰-硫酸微蚀体系,研究了溶胀处理过程中,溶胀液组成、溶胀条件及微蚀时间对聚碳酸酯表面粗化效果的影响.利用扫描电镜对其溶胀效果进行评价,从而得到理想的聚碳酸酯表面粗化溶胀效果.
关键词:
聚碳酸酯
,
溶胀
,
表面粗化
,
粘结强度
,
二氧化锰
,
硫酸
夏曙光
,
李志新
,
王增林
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2011.08.001
在环境友好的硫酸-二氧化锰粗化体系中,研究了硫酸浓度、粗化温度、粗化时间等条件对聚碳酸酯表面粗化效果的影响.通过扫描电镜、润湿接触角测定和化学镀铜膜与基板间的粘接强度的测定对其粗化效果进行评价.研究结果表明,当c(H2SO4)为12.3mol/L,ρ(MnO2)为50g/L,粗化θ为75℃,经过大约20min的表面粗化,可以使聚碳酸酯表面的化学镀铜膜的粘接强度达1.62kN/m,远超过传统的、对环境有害的铬酐-硫酸粗化体系.
关键词:
聚碳酸酯
,
表面粗化
,
粘接强度
,
二氧化锰
,
硫酸
冯绍彬
,
李振兴
,
胡芳红
,
孙亮
,
韦永雁
材料保护
国产铜箔表面粗糙度不够,直接影响镀镍层的形态,用作高分子温度系数热敏电阻时与高分子聚合物的结合强度不够,致使其使用性能不迭标.为了提高铜箔与有机材料问的结合强度,常采用表面粗化工艺.采用酸性硫酸盐镀铜工艺对铜箔表面进行粗化,并用微分电容曲线的电化学测量和扫描电镜及金相显微镜表征了铜箔粗糙度.结果表明,粗化电流密度为20 A/dm2时,粗化效果最为明显,在抗拉端面面积相同的情况下,国产铜箔抗拉强度由粗化前的60.85 N/cm2增大到粗化后的137.81 N/cm2,接近国外商品铜箔的抗拉强度138.26 N/cm2.
关键词:
表面粗化
,
电镀铜
,
微分电容
,
扫描电镜
,
抗拉强度
杨吉军
,
马飞
,
徐可为
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.12.001
用磁控溅射工艺分别在Si和Al2O3衬底上沉积两种不同织构组分的多晶柱状Cu膜,基于动力学标度方法表征两种薄膜的表面粗化特征.结果表明,Cu(111)取向晶粒组分多的薄膜的生长指数较大、表面粗化速率较快.对于较低温度下沉积的多晶柱状薄膜,基于其晶粒几何形态和弱化的晶界限制的特点,提出了一种表面粗化机制,认为薄膜的表面粗化主要依赖于其晶粒表面的粗化过程,而薄膜织构决定了薄膜表面粗化速率.
关键词:
Cu膜
,
表面粗化
,
织构
,
动力学标度
姚雨
,
靳彩霞
,
董志江
,
孙卓
,
黄素梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.008
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片.聚苯乙烯纳米颗粒在于法刻蚀中作为刻蚀掩膜.通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数.结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%.
关键词:
GaN基发光二极管
,
铟锡氧化物
,
表面粗化
,
自然光刻
邱西振
,
张方辉
,
丁磊
,
张静
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122702.0168
研究了粗化玻璃对有机电致发光器件的影响,分别在玻璃基板的平滑面及粗糙面上制作有机电致发光器件.所制备的器件结构为Al(15 nm)/MoO3(60 nm)/NPB(40 nm)/Alq3∶C545T(2％,30 nm)/Alq3 (20nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm).从电流密度-电压-亮度性能及光谱特性等方面对两种器件进行了对比分析.实验结果显示:当蒸镀面为平面时,电流密度及亮度均比粗面型高,其最高亮度达到24 410 cd/m2.不同蒸镀面器件的相对光谱几乎没有变化,但粗面型器件存在黑斑,对其产生的原因进行了探讨.
关键词:
有机电致发光
,
表面粗化
,
玻璃基板
,
出光率
袁军平
,
林伟河
,
陆丽仪
,
陈德东
腐蚀与防护
doi:10.11973/fsyfh-201704005
对装饰用氧化锆精密陶瓷基板进行了表面粗化处理及化学镀镍工艺试验,研究了HF含量和浸泡时间对陶瓷表面粗化效果的影响,以及表面粗糙度与镀镍层形貌、结合强度之间的关系.结果表明:氧化锆精密陶瓷的表面粗糙度随着HF含量的增加和浸泡时间的延长而增加,且呈现浸泡初期和高HF含量时粗化速率更快的特点;随着表面粗糙度的增加,化学镀镍逐渐转向以胞状生长为主的方式形成沉积层,镀镍层的结合强度也不断提高.
关键词:
氧化锆精密陶瓷
,
化学镀镍
,
表面粗化
,
结合强度
马天国
,
李辉
,
田广科
,
毕晓昉
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.04.040
PVD法制备 Fe-6．5％Si(质量分数,下同)高硅钢过程基片预处理工艺以及 Si 渗入对合金的软磁性能均有显著影响。采用磁损耗分离的方法剖析铁硅合金磁性变化的内在机理。采用四探针方法测试合金的电阻率；采用基于热分析仪(DSC)配置永磁场技术测量热重(TG)曲线确定合金的居里温度；采用振动样品磁强计(VSM)测定了材料的饱和质量磁矩；采用直流测试装置和硅钢测试仪测试合金的直流交流软磁性能。PVD法制备6．5％Si高硅钢最大磁导率达到16400,相比于初始态3％低硅钢基片,铁损值降低40％~50％。
关键词:
6 .5％Si高硅钢
,
磁控溅射
,
表面粗化
,
软磁性能
,
演化机理
金宁
,
王帮峰
,
卞侃
,
陈骐
,
熊克
功能材料
基于二次渗透还原法对IPMC材料的制备进行研究.探索3种不同的基膜表面粗化方法对IPMC材料特性的影响.表面粗化方法包括手工打磨、砂光机打磨以及等离子体表面处理方法.通过样件实测对3种不同粗化条件下获得的IPMC材料的外观特征、微现形貌、驱动变形特性以及表面电阻特性进行了测试和比较.实验结果表明,随着表面粗化均匀程度的提高,基膜表面及内部金属沉积均匀与致密性增高,材料的驱动变形能力降低.在一定的驱动电压范围内,IPMC材料的变形与电压近似成线形增加的关系.在相同的尺寸、约束以及驱动电压(3V)条件下,手工打磨的样件能够产生60°的弯曲变形,砂光机打磨样件为45°,而等离子体处理的样件只有15°.
关键词:
IPMC
,
表面粗化
,
SEM分析
杨吉军
,
马飞
,
徐可为
金属学报
用磁控溅射工艺分别在Si和Al2O3衬底上沉积两种不同织构组分的多晶柱状Cu膜, 基于动力学标度方法表征两种薄膜的表面粗化特征. 结果表明, Cu(111)取向晶粒组分多的薄膜的生长指数较大、表面粗化速率较快. 对于较低温度下沉积的多晶柱状薄膜, 基于其晶粒几何形态和弱化的晶界限制的特点, 提出了一种表面粗化机制, 认为薄膜的表面粗化主要依赖于其晶粒表面的粗化过程, 而薄膜织构决定了薄膜表面粗化速率.
关键词:
Cu膜
,
surface roughening
,
texture
,
dynamic scaling
