张秀丽
,
严亮
,
贺红梅
,
罗永皓
,
张恒
材料导报
以单向玻璃纤维增强复合材料为研究对象,通过改变切削参数对在不同纤维方向角情况下的切削力和已加工表面的粗糙度进行了测试,并结合已加工表面的SEM观察,对复合材料的直角切削技术进行了试验研究.结果表明,纤维方向角对切削力和粗糙度以及切削区损伤程度的影响较大,是影响单向复合材料切削性能的重要因素;切削速度越快,粗糙度变化趋势越大.
关键词:
复合材料
,
直角切削
,
切削力
,
纤维方向角
,
表面损伤
董国全
,
万群
,
陈坚邦
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.018
本文以卢瑟福离子背散射技术 (RBS) 检测了半绝缘GaAs (100) 化学机械抛光表面的微损伤状况,并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度.研究了以胶体SiO2和NaOCl溶液的混合液对GaAs进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响.把RBS法同X射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较,二者对应得很好.通过逐层腐蚀与RBS相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度,发现如果抛光条件不适宜,获得的晶片表面尽管目视光洁度很好,也还有一定厚度的损伤层. RBS法测得好的非掺半绝缘GaAs (100) (由LEC法生长) 抛光表面散射粒子最低产额低达3.1%,这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层.
关键词:
抛光
,
砷化镓晶片表面
,
表面损伤
,
卢瑟福背散射
王卓
,
刘昌龙
硅酸盐通报
H和He离子联合注入单晶Si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤,由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法,即智能剥离技术.文章简述了H和He离子注入单晶Si在随后的热处理过程中引起表面损伤的机理,探讨了注入条件变化对表面损伤的影响,提出了该领域存在的关键问题并介绍了智能剥离技术在现代半导体技术中潜在的应用前景.
关键词:
H和He离子联合注入
,
表面损伤
,
智能剥离
,
单晶Si
通旭东
,
李全通
,
史永芳
,
高星伟
机械工程材料
利用超高周弯曲疲劳试验系统,对表面带不同轻微损伤和无损伤的TC6钛合金试样,在20 kHz激振频率条件下进行了超高周疲劳试验,用扫描电镜观察了断口形貌.结果表明:带轻微损伤与无损伤的TC6钛合金的疲劳寿命均随着应力水平的减小呈连续增大的趋势;循环周次超过107后试样仍会发生疲劳破坏,不存在传统意义上的疲劳极限;表面的轻微点压损伤会使试样的疲劳寿命降低,但在低应力水平下表面线划痕则不会对试样的疲劳寿命造成影响;疲劳裂纹萌生于试样表面,而且表面的点压损伤及线划痕并不影响疲劳源的萌生位置.
关键词:
弯曲疲劳
,
超高周疲劳
,
表面损伤
,
TC6钛合金
刘健
,
齐乐华
,
周计明
,
苏力争
材料研究学报
建立了Al_2O_(3sf)/2A12铝基复合材料液态浸渗挤压表面缺陷预测的数学模型,基于L9(3~4)正交试验实验表模拟了9种在不同工艺参数下液态浸渗挤压成形Al_2O_(3sf)/2A12铝基复合材料制件的损伤分布规律,研究了工艺参数对损伤形成的影响规律.结果表明:由于不均匀变形以及制件表面的局部过热,在坯料模角处易产生表面环向裂纹;保压时间对表面损伤形成的影响最大,其次为浇注温度和模具预热温度,挤压速度的影响比较小.通过优化工艺参数,可以有效地避免表面损伤的产生,挤出表面质量良好的制件,模拟结果与实验结果基本吻合.
关键词:
复合材料
,
液态浸渗挤压
,
表面损伤
,
有限元
,
预测
杨铭
,
范红玉
,
解晓东
,
郭一鸣
,
刘云鹤
,
李坤
材料研究学报
doi:10.11901/1005.3093.2015.428
利用低能H离子对20 MeV W6+预注入和未注入的钨样品进行辐照实验,考察H离子能量(20-520 eV)和辐照温度(673-1073K)变化对钨表面微结构的影响.采用非破坏性的导电模式原子力显微镜和扫描电镜分析预注入和未注入钨样品的表面形貌和内表面缺陷分布情况.结果表明,辐照后的样品表面出现大量的纳米尺寸凸起,高能W6+预注入的样品表面损伤要小于未注入的钨样品,意味着高能离子预注入会对材料的表面损伤起到抑制作用,但是当辐照温度高于1073 K时,这种抑制作用开始减弱.
关键词:
金属材料
,
钨
,
导电原子力显微镜
,
表面损伤
,
辐照
周建华
,
游伯强
,
张良莹
,
姚熹
材料研究学报
本文分析了高能Ti 离子注入LiNbO_3后x,y,z 三种不同切向的表面损伤分布及退火效应。x,y 切片表面损伤程度近乎无定形,Nb 原子迁移率N_D/N=1;z 切片表面损伤仍未饱和,N_D/N=0.8。辐射损伤主要是大量Nb 偏离晶格位置成为间隙原子,注入的Ti 离子处于间隙位置—LiNbO_3结构中固有的空位,使晶格有微小的膨胀。注入后产生有大量的氧缺位,氧气氛中热退火可消除氧缺位,使位移原子恢复至原晶格位置,且大部分间隙位置上的Ti 离子通过替代Nb 或少数Li 进入正规格点上,此处晶格有少许收缩;热处理后损伤的消除由注入层与衬底的界面处向外表面方向进行,需1000℃高温退火,晶格损伤才能获得明显的改善,氧气氛可防止氧缺位的增多。
关键词:
离子注入
,
surface damage
,
lattice sites
