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原子层外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜机理的研究进展

何晓崐 , 左然 , 徐楠 , 于海群

材料导报

介绍了用于外延生长Ⅲ-V族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展.以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-V族化合物的表面反应机理.GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2)在表面吸附,依靠Ga(CH3)x中...

关键词: 原子层外延 , GaAs , 表面化学反应