王引书
,
李晋闽
,
张方方
,
林兰英
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.z1.020
在1050℃下用Si2H6和C2H4在Si(100)衬底上外延生长了3C-SiC,生长前只通入C2H4将Si衬底碳化形成SiC缓冲层.碳化过程中C2H4与Si表面反应形成了SiC孪晶,但随着生长时间的延长,外延层转变为单晶层,其表面呈现典型的单晶SiC的(2×1)再构.从外延层的Raman谱观察到明显的SiC的TO和LO声子模;SEM观测结果表明,外延层的表面比较平整.
关键词:
Si
,
SiC
,
外延生长
,
表面再构
,
Raman光谱
