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垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究

王立苗 , 赵北君 , 朱世富 , 唐世红 , 何知宇 , 肖怀安

人工晶体学报

Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景.本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30 ℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体.生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整.

关键词: , 单晶生长 , 垂直布里奇曼法 , 蚀坑观察

碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察

高德友 , 赵北君 , 朱世富 , 王瑞林 , 魏昭荣 , 李含冬 , 韦永林 , 唐世红

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.012

本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察.结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103~105/cm2数量级.这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体.

关键词: 碲锌镉 , 单晶体 , 蚀坑观察 , SEM形貌

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