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位错对BBO晶体光学均匀性的影响

白若鸽 , 朱镛 , 陈创天

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.003

本文报道了BBO晶体中位错密度对光学均匀性的影响.样品的光学均匀性是利用Wyko RTI 4100型干涉仪进行测量.采用侵蚀法观测BBO晶体{001}面的位错密度,在一定的侵蚀条件下,观察到BBO晶体{001}面上的位错露头为突起的正三方锥形,底边与X轴平行.在显微镜下测量出样品的蚀坑密度.实验证明,随着位错密度的增加BBO晶体的光学均匀性逐渐变差.

关键词: BBO晶体 , 化学腐蚀 , 蚀坑密度 , 光学均匀性

CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察

陈俊 , 朱世富 , 赵北君 , 高德友 , 魏昭荣 , 李含冬 , 韦永林 , 唐世红

功能材料

利用CdZnte晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面.采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111)、(100)和(110)面的腐蚀照片,并计算出了蚀坑密度(EPD)约为104～105/m2数量级.结果表明生长晶体的质量较好.

关键词: 晶体生长 , 蚀坑密度 , 布里奇曼法 , 晶体定向

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