杨富尧
,
何承绪
,
孟利
,
马光
,
陈新
,
毛卫民
材料热处理学报
薄规格冷轧取向硅钢要求比普通厚度取向硅钢更加严格的抑制剂设计及控制.将常化板冷轧至0.23 mm和0.18mm并分别进行脱碳退火处理,利用SEM及EBSD技术分析了两种厚度脱碳退火板的表层、次表层、中心层等层区的析出相粒子分布及织构.结果表明:在设计的工艺下,两种厚度脱碳板同层区的析出相粒子的平均尺寸d、面密度nA及面积分数AA的分布趋势类似,粒子平均尺寸都表现为d表层＞d次表层＞d中心层,且次表层的粒子面密度最高;两种板沿板厚方向的组织及织构分布不均匀,但各层区织构组成相近,{111} 〈112〉、{411} 〈148〉组分的比例明显高于其他取向,表层Goss取向晶粒数较多;随压下量增大,Goss、{111} 〈112〉、{411} 〈148〉等织构均减弱.
关键词:
薄规格取向硅钢
,
析出相粒子
,
抑制剂
,
脱碳退火
,
冷轧
,
织构
何承绪
,
杨富尧
,
严国春
,
孟利
,
马光
,
陈新
,
毛卫民
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00554
利用EBSD和XRD技术对比分析了常化和不常化2种工艺对薄规格取向硅钢组织及织构的影响. 结果表明, 2种工艺条件下的初次再结晶和二次再结晶织构存在着明显的差异. 经过常化处理的样品初次再结晶组织中{411}<148>和{111}<112>织构组分比不常化样品的低, 但Goss织构组分比不常化样品的高; 常化处理的样品二次再结晶织构多为锋锐的Goss织构, 磁性能优异, 而不常化处理的样品二次再结晶织构多为Brass织构和偏Goss织构. 此外, 经过常化处理样品的初次再结晶组织中Goss取向晶粒周围分布的20°~45°大角度晶界所占比例高于不常化处理样品. 2种样品初次再结晶后的平均晶粒尺寸差别并不明显, 均为20 μm, 而且整体晶粒尺寸分布也相近. 常化处理对最终磁性能有决定性影响, 主要体现在提高冷轧前Goss取向“种子”的比例以及优化再结晶组织中Goss取向晶粒周围的织构环境.
关键词:
薄规格取向硅钢
,
常化
,
织构
,
再结晶
,
低温热轧板
刘志桥
,
杨平
,
毛卫民
,
崔凤娥
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2014.00665
运用EBSD技术观察HiB钢在大压下率冷轧条件下薄规格样品的二次再结晶行为,从而研究薄规格样品二次再结晶难以发生的原因.通过渗氮处理添加抑制剂使二次再结晶能顺利发生,并研究渗氮量对薄规格样品二次再结晶的影响,以及{114}<418>织构对黄铜与Goss取向晶粒异常长大的影响.结果表明,在二次再结晶退火时,相对于其它取向的晶粒,两侧表层的{114}<418>取向附近的晶粒具有明显的长大优势,并向中心层生长,如果样品表层抑制剂强度不足,其容易长大到样品的中心层吞并掉二次再结晶的核心而不利于二次再结晶的发生,经渗氮补充抑制剂后能有效抑制表层晶粒的长大,从而有利于二次再结晶的发生和磁性能的提高;在二次再结晶初期,{114}<418>取向附近的晶粒容易保留在发生异常长大的偏转Goss取向晶粒和黄铜取向晶粒的中心处并形成岛晶而不利于它们的异常长大,但该取向的晶粒对Goss取向晶粒异常长大的影响较小.
关键词:
{114}<418>织构
,
薄规格取向硅钢
,
异常长大
,
抑制剂
何承绪
,
杨富尧
,
严国春
,
孟利
,
马光
,
陈新
,
毛卫民
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00554
利用EBSD和XRD技术对比分析了常化和不常化2种工艺对薄规格取向硅钢组织及织构的影响.结果表明,2种工艺条件下的初次再结晶和二次再结晶织构存在着明显的差异.经过常化处理的样品初次再结晶组织中{411}<148>和{111}＜112>织构组分比不常化样品的低,但Goss织构组分比不常化样品的高;常化处理的样品二次再结晶织构多为锋锐的Goss织构,磁性能优异,而不常化处理的样品二次再结晶织构多为Brass织构和偏Goss织构.此外,经过常化处理样品的初次再结晶组织中Goss取向晶粒周围分布的20°～45°大角度晶界所占比例高于不常化处理样品.2种样品初次再结晶后的平均晶粒尺寸差别并不明显,均为20 μm,而且整体晶粒尺寸分布也相近.常化处理对最终磁性能有决定性影响,主要体现在提高冷轧前Goss取向“种子”的比例以及优化再结晶组织中Goss取向晶粒周围的织构环境.
关键词:
薄规格取向硅钢
,
常化
,
织构
,
再结晶
,
低温热轧板
