栾庆彬
,
皮孝东
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.001
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料.近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注.利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,同时在其制备过程中可以在较低温度下大面积成膜,能够使用塑料等柔性衬底,因而具有明显的成本优势,发展前景广阔.着重介绍了几种颇具潜力的半导体(如硒化镉、碲化汞、硒化铅、锗、硅)纳米晶体在制备薄膜晶体管方面的应用.
关键词:
薄膜晶体管
,
有源层
,
半导体
,
纳米晶体
,
硒化镉
,
碲化汞
,
硒化铅
,
锗
,
硅
杨澍
,
荆海
,
廖燕平
,
马仙梅
,
孔祥建
,
黄霞
,
付国柱
,
马凯
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.012
基于电子墨水技术的电子纸是目前最有竞争力的类纸媒显示器.实现电子墨水电子纸的柔性是这项显示技术的关键之一.文章分析了当前电子墨水电子纸的主要研究方向,详细介绍了基于金属柔性基板的TFT制造技术、基于固定塑料基板的以激光释放塑基电子工艺(EPLaR)为代表的TFT制造技术、以激光退火表面释放技术(SUFTLA)为代表的TFT转移技术以及有机薄膜晶体管(OTFT)技术等4项柔性TFT背板的主要实现方法.对比了它们的材料选取,工艺特点和器件性能,分析了各项柔性TFT背板工艺的优缺点,提出了改进方向.
关键词:
电子纸
,
电子墨水
,
薄膜晶体管
,
柔性金属基板
,
激光释放塑基电子技术
,
激光退火表面释放技术
,
有机薄膜晶体管
王守坤
,
袁剑峰
,
郭会斌
,
郭总杰
,
李升玄
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0930
本文对 TFT 在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中，透明电极 ITO 成分对膜层的污染和 TFT 电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO 成分会对 PECVD 设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染，并会影响 TFT 的电学特性。建议采用独立的 PECVD 设备完成 ITO 膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积，并且对设备进行周期性清洗，可降低 ITO 成分的污染和提高产品的电学性能。
关键词:
薄膜晶体管
,
化学气相沉积
,
栅极绝缘层
,
有源层
,
非晶硅膜
,
氧化铟锡
,
电学特性
曾祥斌
,
孙小卫
,
李俊峰
,
齐国钧
功能材料
采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106.
关键词:
电场增强晶化
,
多晶硅薄膜
,
金属诱导晶化
,
薄膜晶体管
张新安
,
张景文
,
张伟风
,
王东
,
毕臻
,
张杰
,
侯洵
功能材料
采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT).用X射线衍射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的ZnO薄膜进行了表征.在硅衬底ZnO-TFT中,热氧化生长的二氧化硅薄膜作为绝缘层,金属铝用作源漏电极,该器件工作在N沟道增强模式,其阈值电压为8V,电流开关比为5×103,电子的场迁移率达到0.61cm2/(V·s).在以ITO玻璃为衬底的透明ZnO-TFT中,分别采用了SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3薄膜作为绝缘层,实验表明生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜都有很高的c轴择优取向,透明ZnO-TFT在可见光波段的平均透过率达到85%.
关键词:
ZnO 薄膜
,
薄膜晶体管
,
绝缘层
,
光学透过率
颜钟惠
,
王瑶
,
吴国栋
,
轩瑞杰
,
李想
材料导报
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备微孔SiO2薄膜并将其作为栅介质,制作了基于微孔SiO2栅介质层的透明氧化物薄膜晶体管.利用场发射扫描电镜、阻抗分析仪以及半导体分析仪对样品进行表征.结果表明,微孔SiO2栅介质具有双电层效应,这种微孔SiO2栅介质透明氧化物薄膜晶体管器件具有工作电压低,开关电流比大,透光性高,稳定性强等良好性能.
关键词:
微孔SiO2
,
双电层效应
,
透明氧化物
,
薄膜晶体管
刘振
,
徐文亚
,
钱龙
,
赵建文
,
崔铮
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2014.03.260
本文研究了聚[(2,7-9,9-二辛基芴基)-4,7-双(噻吩-2-基)苯并-2,1,3-噻二唑](PFO-DBT)分离的半导体碳纳米管薄膜晶体管的光电性能.在超声和高速离心辅助下,PFO-DBT能够从商业化单壁碳纳米管中选择性分离出高纯的半导体碳纳米管.用得到的半导体碳纳米管溶液通过气溶胶喷墨印刷方法构建出高性能印刷薄膜晶体管器件.印刷碳纳米管薄膜晶体管表现出高的开关比(107)和高迁移率(15.6 cm2 ·V-1·s-1).并且所有制备的印刷薄膜晶体管具有很好的光敏感特性和很好的稳定性.
关键词:
半导体性碳纳米管
,
聚合物
,
印刷电子
,
薄膜晶体管
,
光响应特性
曾祥斌
,
孙小卫
,
李俊峰
,
齐国钧
功能材料
采用实时电阻测量方法实现了金属镍诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控,实验中使用了两种样品,一种采用电场增强侧向晶化;另一种采用金属诱导侧向晶化.结果表明薄膜电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶粒边界势垒模型解释了阻值衰减行为,分析计算了两种样品的阻值衰减规律.电场增强方式的时间常数比非电场增强方式小,表明加电场有促进晶化的作用.实时电阻测量方法可以用于金属诱导晶化动力学的研究,是一种简单实用的实时监控手段.
关键词:
多晶硅薄膜
,
金属诱导晶化
,
实时电阻测量
,
薄膜晶体管
万相
,
刘阳辉
,
张洪亮
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13404
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了多孔SiO2薄膜,系统地研究了不同浓度磷酸处理对多孔SiO2薄膜的质子导电特性、双电层电容和以此多孔SiO2薄膜为栅介质的铟锌氧(IZO)双电层薄膜晶体管性能的影响.结果表明:多孔SiO2薄膜的质子电导率和双电层电容随磷酸浓度升高而增大,60％浓度磷酸处理后多孔SiO2薄膜质子电导率和双电层电容分别达到1.51×10-4 S/cm和6.33 μF/cm2.随磷酸浓度升高,双电层薄膜晶体管的工作电压降低,并且,电流开关比也变大.其中60％浓度磷酸处理后器件工作电压为1.2 V,迁移率为20cm2/(V·s),电流开关比为4×106.这种双电层薄膜晶体管有望应用在化学和生物传感等领域.
关键词:
双电层
,
薄膜晶体管
,
磷酸处理
,
多孔SiO2
王乃倩
,
张群
,
谢汉萍
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150613
采用射频磁控溅射法，在热氧化 p 型硅基片上制备了双沟道层非晶氧化铟锌(a-IZO)和氮掺杂氧化铟锌(a-IZON)薄膜晶体管(TFTs)，并研究了双沟道层对器件电学性能和温度稳定性的影响。研究发现， a-IZO/IZON双沟道层TFTs具有较高的场效应迁移率，为23.26 cm2/(V×s)，并且其阈值电压相较于单层a-IZO-TFTs正向偏移。这是由于氮掺杂可以减少沟道层中的氧空位，抑制载流子浓度，使器件具有更好的阈值电压。而a-IZO层避免了由于氮掺杂导致的场效应迁移率和开态电流的下降，提升了器件的电流开关比。从298 K至423 K的器件转移特性曲线中发现，双沟道层器件相较于单沟道层器件的温度稳定性更佳，这可归因于a-IZON层的保护作用。氮掺杂可以减少氧在背沟道层表面的吸收/解吸反应，改善器件的稳定性。
关键词:
双沟道层
,
氮气掺杂
,
温度稳定性
,
薄膜晶体管
