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低能He+、Ar+、Xe+轰击SiC的蒙特卡诺模拟

金石声 , 朱林山 , 苟富均 , 谢泉

功能材料

应用蒙特卡诺程序SRIM对He+、Ar+、Xe+轰击SiC的微观过程进行了模拟.对不同能量(100～500eV)以及不同角度(0～85°)下He+、Ar+、Xe+轰击SiC引起的溅射率、溅射原子分布、溅射原子能量以及入射离子在SiC中的分布情况进行了分析比较.结果表明对于原子量较小的He+入射SiC...

关键词: 蒙特卡诺 , 模拟 , SiC