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Si(100)预结构基底对Si雕塑薄膜三维模拟生长的影响

梁景舒 , 陈子毅 , 余梦影 , 江绍基

材料科学与工程学报

建立一个雕塑薄膜三维生长的蒙特卡罗模型,模拟在PVD方法下Si在Si(100)基底上沉积的生长,考虑周期性排列预结构基底的阴影效应,模拟不同预结构单元宽度、间距及不同入射角度下斜柱状雕塑薄膜的三维形貌。结果表明,在入射角和宽度一定时,存在一个最佳间宽比值使得薄膜表面粗糙度最小;当宽度大于一定数值,粗糙度随间宽比值增大而增大。在相同预结构基底下,随入射角增大,薄膜的表面粗糙度增大;而薄膜的相对密度曲线变得平缓均匀。

关键词: 雕塑薄膜 , 蒙特卡罗模型 , 预结构 , 表面粗糙度 , 相对密度

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