张璋
,
王荣飞
,
杨杰
,
王茺
,
杨宇
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.021.002
在斜切基片表面上引入原子台阶并对物理表面进行改性,可提高表面吸附原子的成核率及抑制量子点的合并,实现三维量子点在Stranski-Krastanov(S-K)模式生长的调控生长.概述了斜切基片法在Si衬底上生长有序量子点的研究进展;介绍了斜切基片作为图形衬底生长有序量子点的应用.叙述了斜切基片产生台面、台阶和扭结的图形衬底结构机制及影响因素,探讨了台阶模板形成机制及台阶模板上生长量子点的研究进展.
关键词:
斜切衬底
,
台阶
,
自组装模板
,
有序量子点
