于杰
,
王茺
,
杨洲
,
胡伟达
,
杨宇
人工晶体学报
本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性.结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小；亚阈值电流略有增大；亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系；阈值电压不断地向正方向偏移.通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大.
关键词:
温度
,
应变SiGe沟道
,
p-MOSFET
,
自热效应
姜霞
,
赵正平
,
张志国
,
骆新江
,
杨瑞霞
,
冯志红
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.014
基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流Ⅰ-Ⅴ特性的解析模型.通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计.
关键词:
AlGaN/GaN
,
高电子迁移率晶体管
,
解析模型
,
自热效应
,
直流Ⅰ-Ⅴ特性
李敏
,
吴晶
工程热物理学报
随着大功率半导体器件的发展,其局部热流密度急剧增加.为防止器件功能失效,需要可靠的建模技术来研究器件的热学行为,进而指导其冷却设计.本文采用非等温能量平衡模型研究了自热效应对栅长为500 nm的多指GaAs赝配高电子迁移率固态微波功率器件(PHEMT)的热学特性的影响.基于泊松方程、连续性方程、输运方程和晶格热方程,数值求解得到了器件的热点位置和温度分布,并通过实验进行了验证.最后,应用(火积)理论,进一步分析了(火积)耗散热阻在评价器件热学性能方面的适用性.
关键词:
PHEMT
,
自热效应
,
NEB模型
,
热点
,
(火积)耗散热阻
刘远
,
姚若河
,
李斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112601.0028
基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型.采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度.在沟道热阻模型的基础上,考虑器件问场氧化层和金属瓦联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型.采用该模型可描述器件有源层内温度的横向分布,并快速预估沟道内的最高结温.最后,将模型预测结果与器件模拟仿真结果进行了对比,两者拟合良好.
关键词:
非晶硅薄膜晶体管
,
热阻
,
自热效应
,
温度分布
