袁瑞玚
,
王如志
,
段志强
,
王波
,
严辉
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.02.014
本文采用转移矩阵法,系统地研究了磁势垒尺度d对磁量子结构中电子自旋输运的影响.结果表明:在理想δ函数型磁势垒结构中,若保持隧穿能量不变,随d的变化,透射系数呈现出明显的正弦或余弦型的周期性振荡,且振荡周期与是否考虑自旋无关.而对于真实δ函数型磁势垒结构,随d的变化,透射系数的周期性振荡的规律明显消失.另外,当电子自旋分别隧穿理想δ函数型磁势垒结构与真实δ函数型磁势垒结构时,隧穿电导随d的变化也存在较大差异.研究结果表明:尺寸的变化对器件的性能产生了较大的影响;且采用理想δ函数型磁势垒结构得出的结论可能了偏离实际应用中的真实δ函数型磁势垒结构的物理规律.
关键词:
尺度效应
,
自旋输运
,
隧穿电导
,
磁量子结构
米仪琳
,
赵小青
,
王兰
材料导报
利用自旋漂移-扩散方程自洽地得到了铁磁/有机半导体自旋注入结构中极化予电导的自旋相关性对自旋注入效率的影响.计算结果表明,自旋注入效率明显依赖于极化子电导的自旋相关性.在自旋注入效率增加30%的情况下,极化子电导的自旋相关性T=5K时将增大4个数量级左右,表明,在电场作用下的有机半导体自旋注入体系中,考虑极化子电导的自旋相关性对自旋注入的影响有着非常重要的意义.另外自旋注入效率还是位置的函数,但当电场大于100mV/μm后,极化子的自旋相关性几乎不再随极化子所在位置发生变化,自旋注入效率此时也几乎与位置无关.
关键词:
电导的自旋相关性
,
自旋注入
,
自旋输运
,
自旋极化
安丽萍
,
刘念华
新型炭材料
doi:10.1016/S1872-5805(12)60012-2
利用第一性原理研究了两种具有边缘缺陷石墨烯纳米结的自旋输运,即边界氢原子饱和和未被饱和两种情况.结果表明:边缘缺陷改变了电子的输运行为.对于完整的石墨烯纳米带,两种自旋的电子在费米能级附近是完全简并的；对于含有边缘缺陷的石墨烯纳米结,两种自旋的电子在费米能级附近的很大能量范围内表现出自旋分离.电子局域态密度可进一步说明这种输运行为.这些纳米结可产生与自旋相关的极化电流.特别对于未饱和的缺陷结,在任何偏压下都有较高的自旋滤波效率.
关键词:
石墨烯纳米带
,
边缘缺陷结
,
自旋输运
