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改善钙钛矿材料室温下磁电阻效应的有效途径

黄宝歆

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2010.01.028

将Ag_2O与La_(0.67)Ca_(0.25)Sr_(0.08)MnO_3均匀混合经高温烧结后形成La_(0.67)Ca_(0.25)Sr_(0.08)MnO_3/xAg两相复合体系.随Ag掺入量的增加,样品的电阻率明显下降,磁化强度有小量下降,T_c及电阻率的峰值温度T_p没有明显变化.304 K温度下,从x=0.25样品中得到最大磁电阻效应,磁电阻比约为41%,分别是La_(0.67)Ca_(0.25)Sr_(0.08)MnO_3和La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3样品的1.6及10倍.磁电阻的本征效应和传导电子在界面处的自旋相关散射作用是产生室温下增强磁电阻效应的主要原因.结果说明,利用离子的掺杂效应调整居里温度到室温附近,再结合金属/钙钛矿复合体系界面属性丰富的特性来制备庞磁电阻材料是提高室温磁电阻有效的途径,这对应用研究具有十分重要的意义.

关键词: 庞磁电阻 , 颗粒系统 , 两相复合体系 , 自旋相关散射

金属颗粒膜巨磁电阻效应的机制和影响因素

王长征 , 周宁 , 戎咏华 , 徐祖耀

功能材料

由于巨磁电阻效应在磁记录设备和传感器的潜在应用,具有该效应的材料得到了广泛地研究.特别是继金属多层膜之后的金属磁性颗粒膜,由于其制备简单,巨磁电阻效应的机理较为复杂,受到人们的青睐.本文综述了金属磁性颗粒膜中巨磁电阻效应的自旋相关散射机制和影响因素.在此基础上,指出了当前值得注意的研究方向.

关键词: 金属颗粒膜 , 巨磁电阻效应 , 自旋相关散射 , 影响因素

金属颗粒膜巨磁电阻效应的理论研究

王长征 , 周宁 , 戎咏华 , 徐祖耀

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2003.04.015

由于巨磁阻效应材料在磁记录设备和传感器的潜在应用,具有该效应的材料得到了广泛地研究.特别是继金属多层膜之后的金属磁性颗粒膜,由于其制备简单,巨磁阻效应的机理较为复杂,受到人们的青睐.综述了金属磁性颗粒膜中巨磁阻效应的理论.在此基础上,指出了当前值得注意的研究方向.

关键词: 金属颗粒膜 , 巨磁电阻效应 , 自旋相关散射 , 理论研究

La0.67Sr0.33MnO3中Bi的掺杂效应

黄宝歆 , 刘宜华 , 原晓波 , 王成建 , 陈卫平 , 张汝贞 , 梅良模

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.006

将Bi2O3掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0 67Sr033MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果证实有过量的Bi析出.随着Bi掺杂量的增加,LSMO/(Bi2O3)x/2材料电阻率发生明显变化,在x=(0-0.10)摩尔比的掺杂范围内,电阻率先上升后突然下降.当x=0.1时,电阻率比未掺杂样品下降了一个数量级.Bi掺杂对低温和室温磁电阻有着完全不同的影响.低温下,随掺杂量增加,磁电阻下降;室温下Bi的微量掺杂可以使磁电阻增大,掺入x=0.03 Bi使室温磁电阻由-4.4%提高到-5.6%.

关键词: Bi掺杂 , La0.67Sr0.33MnO3磁电阻效应 , 自旋相关散射 , 自旋相关隧穿

Nb5+的掺杂对La0.67Sr0.33MnO3磁性和传输性的影响

王军华 , 黄宝歆 , 原晓波 , 王成建 , 刘宜华 , 梅良模

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.010

将用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉与(Nb2O5)x/2粉在1100℃下混合烧结,形成了具有钙钛矿结构的锰氧化物与LaNbO4的复合体系,x是掺入的Nb5+离子与母体材料的摩尔比.在x=0.07的样品中得到最大电阻率为23.74 Ω·cm,比LSMO 高三个数量级.Nb5+离子的掺杂使样品的低场磁电阻(LFMR)和高场磁电阻(HFMR)效应都有所增强.77 K下,0.1 T和1 T磁场下在x=0.07 样品中分别得到24 % 和33.8 %的磁电阻效应,是LSMO样品的2倍和1.7倍.室温下x=0.05样品的磁电阻最大,为9 %.其中,LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用,而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构.

关键词: 稀土掺杂锰氧化物 , 庞磁电阻效应 , 自旋相关散射 , 自旋相关隧穿

Nb5+的掺杂引起La0.67Sr0.33MnO3增强的磁电阻效应

黄宝歆 , 王军华 , 原晓波 , 王成建 , 刘宜华 , 梅良模

功能材料

将Nb2O5掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果表明所有样品均为单相菱面结构.随着Nb5+掺杂量的增加,材料电阻率发生显著变化.在x=0.06的掺杂样品中得到最高为1110Ω·cm电阻率(x是掺入的Nb离子与母体材料的摩尔比),比LSMO高5个数量级,这是由于晶界处以及颗粒内部增加的自旋相关的散射和隧穿效应所致.Nb5+离子的掺杂使样品的低场磁电阻(LFMR)和高场磁电阻(HFMR)效应都有所增强.77K下,0.1和1T磁场下在x=0.07样品中分别得到25%和42%的磁电阻效应,分别是LSMO样品的2倍和1.7倍.室温下x=0.03样品的磁电阻最大,为7%.其中,LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用,而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构.

关键词: 稀土掺杂锰氧化物 , 庞磁电阻效应 , 自旋相关散射 , 自旋相关隧穿

质子辐照对多层膜巨磁电阻结构磁性能的影响

尹聪 , 谢丹 , 徐建龙 , 任天令

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13523

研究了质子辐照对多层膜巨磁电阻结构磁性能的影响.利用5 MeV的不同辐照剂量和剂量率的质子对磁控溅射法制备的CoFe/(CoFe/Cu) 10/CoFe/Ta多层膜巨磁电阻结构进行辐照实验.XRD分析表明质子辐照没有改变CoFe/Cu的晶格结构.分析磁滞回线和磁电阻曲线得知在实验选取的辐照剂量范围内,饱和磁化强度和本征电阻随着辐照剂量的增加而增加,而矫顽场和磁电阻率随剂量的增加而减小.利用质子辐照对自旋相关散射、平均自由程的影响解释了本征电阻的变化,并基于二流体模型对磁电阻率的变化进行了分析.由此得出,多层膜巨磁电阻结构具有一定的抗辐照能力.

关键词: 巨磁电阻 , 质子辐照 , 自旋相关散射 , 二流体模型

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