林青
,
谢欣云
,
朱鸣
,
张苗
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.024
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等.结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展.
关键词:
自加热效应
,
沟道电流
,
跨导畸变
,
负微分迁移率
,
SOI新结构
张新
,
高勇
,
刘梦新
,
安涛
,
王彩琳
,
邢昆山
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2006.05.007
硅基集成电路不能胜任高温工作环境,其高温工作上限一般为125℃.而基于SOI材料及其结构的器件,能突破高温的限制.介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的自加热效应.为实现良好的高温性能,比较了几种不同的埋层结构,提出了沟道下用氮化铝作埋层的SOI器件新结构,并对其高温输出性能随温度的变化进行了研究分析,得出了具有指导意义的分析结果.同时提出了根据埋层材料的介电常数不同,进行等效电容折算埋层厚度的新观点,从另一层面提出了抑制自加热效应的理论依据.
关键词:
SOI
,
埋层结构
,
自加热效应
,
高温特性
