胡孟春
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李忠宝
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唐章奎
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周殿忠
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杨洪琼
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王振通
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张建华
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胡青元
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杨高照
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.039
本工作对国内近年新研制的CeF3用于γ测量时的抗中子干扰能力进行研究,在脉冲DT中子源场中对分别由CeF3和ST401构成的闪烁探测器输出进行比较测量.在相同测点中子注量率情况下的测量结果表明:ST401探测器的输出电荷比同体积的CeF3高10多倍;ST401探测器的电流输出峰值幅度比同体积的CeF3高30多倍.由此可得到CeF3对中子相对不灵敏,在n、γ混合辐射场中测量快γ辐射时,该无机晶体将是一种较合适的候选闪烁体.
关键词:
CeF3
,
无机闪烁体
,
辐射探测
,
脉冲DT中子源
,
中子灵敏度
,
ST401
