雷洁红
,
邢丕峰
,
唐永建
,
吴卫东
,
王锋
稀有金属材料与工程
用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(100)基片上制备金属Mo薄膜,研究薄膜结晶性能与能量密度之间的关系,探讨薄膜生长机制和粒子能量在薄膜生长中的作用.原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、光滑,均方根粗糙度小于2 nm.X射线衍射(XRD)分析表明,随着能量密度的增加,Mo薄膜衍射峰宽变窄,薄膜从非晶态逐步变为多晶态,晶粒尺寸逐步变大.
关键词:
脉冲激光沉积(PLD)
,
Mo薄膜
,
能量密度
,
表面粗糙度
,
晶粒尺寸
丁美凤
,
朱俊
,
王水力
,
张菲
,
罗文博
功能材料
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律.X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲层的厚度50nm和沉积温度为750℃的条件下,制得的BaM薄膜c轴取向最好,其(0008)面的ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.289°.扫描电子显微镜(SEM)结果显示此时薄膜的晶粒已有部分呈六角片状.振动样品磁强计(VSM)测试表明,在750℃时沉积的BaM薄膜面外饱和磁化强度为190A/m,剩磁比0.82,薄膜磁性能良好.
关键词:
脉冲激光沉积(PLD)
,
BaM薄膜
,
MgO缓冲层
,
面外磁性能
李理
,
朱俊
,
李扬权
,
经晶
,
周文
,
罗文博
,
李言荣
功能材料
采用脉冲激光沉积技术在(0001)取向的蓝宝石基片上外延生长了Pt单晶薄膜,研究了沉积温度和激光能量对Pt薄膜的晶体结构,表面形貌及电学性能的影响规律.X射线衍射(XRD)分析结果表明,在沉积温度650℃、激光脉冲频率1Hz和激光能量280mJ的条件下,制备得到的Pt(111)单晶薄膜,其(111)面ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.068°.原子力显微镜(AFM)分析表明外延的Pt薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)约为1.776nm.四探针电阻测试结果显示薄膜方阻为1/962Ω/□,满足铁电薄膜的制备工艺对Pt底电极的要求.
关键词:
脉冲激光沉积(PLD)
,
Pt薄膜
,
电学性能
,
表面形貌
,
蓝宝石衬底
王永仓
,
陈长乐
,
高国棉
,
陈钊
,
李润玲
,
宋宙模
稀有金属材料与工程
采用PLD法在LaAlO3(012)单晶衬底上外延生长了高、双掺杂La1/3(Ca2/3Sr1/3)2/3MnO3(LCSMO)薄膜.薄膜的X射线衍射谱表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且具有(012)方向的择优取向;用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面相对比较平坦;在密封的液氮杜瓦瓶里用四探针法对薄膜的输运特性进行了测试,电阻-温度试验曲线表明,在温度77 K~400K的范围内薄膜呈现类半导体特性,没有金属-绝缘体转变温度(TMI)出现;薄膜的红外透射谱在606 cm-1处有一个很强的吸收峰,由红外透射谱计算出光学能隙Eopt大约为0.7 eV,薄膜的光学折射率为1.373.分析认为LCSMO薄膜的类半导体特性是由于A离子半径变化引起晶格畸变造成的.
关键词:
脉冲激光沉积(PLD)
,
LCSMO薄膜
,
钙钛矿结构
李美成
,
杨建平
,
王菁
,
陈学康
,
赵连城
功能材料
用脉冲激光沉积制备了纳米级Pt/Si异质层,对脉冲激光退火形成超薄PtSi薄膜进行了研究.对于Pt、Si互扩散反应形成Pt2Si和PtSi的过程利用XPS进行了测试分析,通过XPS和AFM等分析测试手段对不同参数激光退火形成的PtSi薄膜的结构特性进行观测.我们获得了均匀的、超薄连续的PtSi层且具有平滑的PtSi/Si界面.
关键词:
脉冲激光沉积(PLD)
,
激光退火
,
纳米薄膜
陈勇
,
杨志民
,
张心强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.05.015
用CeO2陶瓷靶材,使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上制备了CeO2薄膜.研究了衬底温度、沉积氧压对薄膜性能的影响,实验制备出了高度(111)取向的CeO2薄膜.使用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜进行晶体结构的表征.结果表明:随着衬底温度的增加,薄膜中的残余宏观应力(拉应力)及微观应力逐渐减小,薄膜结晶质量不断提高,而沉积氧压对此影响较小.RHEED图像显示使用PLD方法在Si衬底上沉积的薄膜具备较高的结晶性及原子级平整的表面.使用原子力显微镜(AFM)对样品进行表面粗糙度分析,发现不同温度下生长的薄膜均具有光滑的表面,方均根粗糙度(RMS)均在0.4 nm以下.使用Keithley 4200半导体测试仪、椭偏仪对薄膜进行电性能及光学性能分析,发现衬底温度对薄膜的电学性能有显著影响,并且CeO2薄膜结晶状态与电学性能有直接的联系.
关键词:
CeO2
,
薄膜
,
脉冲激光沉积(PLD)
张耀
,
钟志源
,
朱敏
金属学报
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在镀Pt的Si衬底上制备了LiCoO2薄膜, 运用XRD、Raman光谱、SEM和循环伏安等方法对其结构与电化学性能进行表征, 在此基础上着重采用电位间歇滴定技术(PITT)对其Li离子表观扩散进行了分析. 结果表明,600℃制备的LiCoO2薄膜为HT-LiCoO2相, 呈柱状晶结构, 平均晶粒尺寸在100 nm以下, 结晶度高, 并且具有明显的[001]择优取向, 但少量缺Li. 伏安循环曲线表明, 该LiCoO2薄膜具有良好的电化学可逆性, 但只在3.9 V(vs Li)附近出现一对氧化还原峰. PITT测试表明, PLD方法制备的HT-LiCoO2薄膜的Li离子扩散系数在10-8—10-9 cm2/s, 与其它方法(如射频磁控溅射)制备的HT-LiCoO2薄膜相比, 扩散系数高1—2个数量级; 并且PLD方法制备的HT-LiCoO2薄膜中Li离子扩散系数与相变有关, 在两相共存区, 由于相界钉扎的作用, Li离子扩散系数比其它区域小1—2个数量级.
关键词:
LiCoO2
,
pulsed laser deposition
,
thin film battery