王雁利
,
杨海丽
,
吴晔康
,
徐宏
,
王心悦
,
冯策
电镀与涂饰
采用由氯化钠、氯化钾、氟化钠和二氧化硅(摩尔比为1:1:3:0.3)组成的熔盐,分别以直流、单脉冲、换向脉冲的电沉积方式在纯铌表面渗硅.对比研究了不同电沉积方式下所得渗硅层的厚度、成分、组织、相结构和抗氧化性.结果表明,渗硅层厚度按照单脉冲、换向脉冲、直流电沉积的方式依次降低.与直流和单脉冲电沉积相比,换向脉冲方式所得渗硅层的组织更加致密、平整.电沉积方式对渗硅层的相结构无影响,所得渗硅层均由单相NbSi2组成,并在(110)和(200)晶面上择优生长.换向脉冲方式制备的渗硅层抗高温氧化性能最好.
关键词:
铌
,
渗硅
,
熔盐
,
电沉积
,
直流
,
脉冲
,
高温氧化
申罡
,
高原
,
王成磊
,
卜根涛
材料导报
利用脉冲单电源和直流单电源,分别在Q235钢表面进行等离子钨钼共渗.通过对不同电源钨钼共渗试样的渗层组织、渗层成分分布、晶体结构、渗层硬度分布的检测和比较,分析了2种电源对等离子钨钼共渗的影响.结果表明,利用单一电源均可在Q235钢表面形成明显反应扩散层;在相同工艺下,采用脉冲电源所得到的试样渗层厚度较采用直流电源的渗层厚度增加了18.1%;脉冲电源试样表面W、Mo含量(质量分数,下同)分别约为8.4%和9.8%,直流电源试样表面W、Mo含量分别为8.2%和8.9%,可见2种电源渗层表面含W、Mo量相差不大;2种电源渗层相结构均为Fe_7W_6和Fe_3Mo金属间化合物相;钨钼共渗后渗层硬度提高不明显.
关键词:
脉冲
,
直流
,
双辉
,
表面改性
,
钨钼共渗
莫伟言
,
石玉龙
电镀与涂饰
室温下用正交试验法确定了2A12铝合金直流脉冲硬质阳极氧化电解液的最优配方:硫酸280 g/L,草酸30 g/L,酒石酸50 g/L,三乙醇胺50 mL/L,硫酸铝7 g/L.研究发现,硫酸对膜层显微硬度影响较大,草酸、酒石酸、三乙醇胺、硫酸铝的影响较小.
关键词:
铝合金
,
硬质阳极氧化
,
正交试验
,
室温
,
脉冲
,
硬度
石永敬
,
龙思远
,
王杰
,
潘复生
材料导报
直流磁控溅射是重要的物理气相沉积技术,广泛应用在工业生产和科学研究中.主要评论了近年来直流磁控溅射技术在溅射机理和非平衡闭合磁控靶等方面取得的重要进展,并评述了脉冲磁控模式和基于闭合磁场直流磁控溅射沉积涂层的结构区域模型.直流非平衡磁控溅射是直流磁控溅射技术中的重要里程碑,使磁控溅射技术直接过渡到离子镀阶段,而脉冲磁控溅射技术为稳定沉积高质量的非导电涂层作出了重要的贡献.
关键词:
磁控溅射
,
非平衡闭合磁场
,
脉冲
,
薄膜结构
郭文才
,
谭俊
,
苏强
,
周亮
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2008.04.010
为获得性能优良的镀层,利用不同的电沉积方法(直流、脉冲电流及脉冲换向电流)制得了Ni、Ni/n-SiO2和Ni/n-Al2O3复合镀层,分别对其表面形貌(SEM)进行了观测和分析,测试了镀层的孔隙率,并通过海水浸泡方法检测其耐腐蚀性能.比较测试结果后发现:电流特性和纳米颗粒对电刷镀复合镀层的耐腐蚀性能均有影响,采用脉冲换向电流沉积得到的Ni/n-SiO2复合镀层具有致密精细的表面形貌、较小的孔隙率和较好的耐腐蚀性能.
关键词:
直流
,
脉冲
,
脉冲换向
,
电刷镀
,
纳米复合镀层
徐瑞东
,
王军丽
,
薛方勤
,
郭忠诚
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2003.09.011
采用正交试验研究了添加剂、电解液温度、电流密度、占空比等对常温脉冲硬质阳极氧化膜硬度、厚度及耐腐蚀性的影响,确定了最佳工艺条件.结果表明,新工艺提高了硬质氧化膜的硬度和生成速度,并将氧化温度提高到了30 ℃.在最佳工艺条件下,氧化膜硬度为516 HV,厚度为0.034 2 mm.点滴试验表明,脉冲硬质阳极氧化膜耐腐蚀性能优异.
关键词:
铝合金
,
脉冲
,
常温
,
硬质阳极氧化
李发军
,
苑中显
,
马重芳
,
吴宗善
,
卢伟
,
周志远
工程热物理学报
采用热色液晶定量测温技术对稳态及脉冲式空气-氮气圆形浸没射流冲击冷却换热进行了实验研究.脉冲射流的实验结果表明,对于喷嘴直径D=3 mm的情形,无论脉冲频率高低,均无强化换热效果;对于D=I0 mm的情形,在较高Re数时出现个别工况的驻点换热强化.脉冲射流表现出换热系数沿径向分布趋于均匀的特点.
关键词:
液晶显示
,
脉冲
,
射流冲击
,
传热
朱福良
,
于倩倩
,
黄达
,
谢建平
材料保护
利用脉冲电沉积法成功制备出了层状结构清晰的Cu/Ni纳米多层膜.采用线性扫描伏安法、循环伏安法以及铜镍沉积过程中的电压-电流曲线等方法,研究了在硼酸系溶液中铜/镍纳米多层膜的沉积机理,使用扫描电子显微技术观察了多层膜的微观结构.结果表明:铜的沉积为扩散控制步骤,镍的沉积分为2步进行,即中间经历Ni(OH)+的过渡状态;铜、镍的沉积电位分别为-0.5 V和-1.1 V.经计算和测量对比,本脉冲法制备的多层膜符合基础电沉积原理.
关键词:
电沉积机理
,
脉冲
,
铜/镍纳米多层膜
,
制备