高志远
,
郝跃
,
张金凤
材料导报
通过对异质外延GaN薄膜中各类结构缺陷进行系统的研究,发现材料内部的各种体、面和线缺陷,包括沉淀物、裂纹、反向边界、局部立方相、小角晶界和位错,都会对表面形貌产生影响,并具有对应的特征形貌.GaN薄膜中缺陷与表面形貌的这种对应关系,可以通过MOCVD生长机理和缺陷间相互作用机制加以解释,同时也提供了一种简单而有效的研究与检测GaN材料内部缺陷的方法.
关键词:
GaN
,
缺陷结构
,
表面形貌
,
生长机理
孙德辉
,
刘宏
,
颜涛
,
王继扬
人工晶体学报
近化学计量比钽酸锂晶体的各种优越的物理性质已经吸引了众多研究者们的兴趣.常规提拉法生长的钽酸锂是一种非化学计量比的晶体,晶体中存在大量的本征缺陷,限制了其在高性能器件的应用.研究者们都在努力寻找一种能生长大尺寸高质量晶体的方法,并利用晶体的各种性质制造相应的功能器件.本文综述主要介绍了同成分钽酸锂晶体的缺陷结构和未掺杂和掺镁近化学计量比钽酸锂晶体的生长技术及成分测试方法.
关键词:
近化学计量比
,
钽酸锂
,
晶体生长
,
成分测试
,
缺陷结构
罗伟
,
桂强
,
郑威
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.007
采用提拉法,从Li/Nb变化(0.94,1.05,1.20,1.38)的熔体中生长出Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体.Li/Nb=1.05的晶体OH-振动吸收峰在3504cm-1处出现的主吸收峰,且在3466cm-1、3481m-1处有两附加峰.Li/Nb=1.38的晶体OH-振动吸收峰在3535cm-1处出现附加吸收峰.红外光谱结果表示Li/Nb=1.05的晶体是近化学剂量比的,且Sc掺质优先于Mg掺质达到阈值浓度.采用透射光斑畸变法测得Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体(Li/Nb=1.05)的抗光损伤能力为2.0×104W/cm2,比Fe:LiNbO3提高了三个数量级.采用波长为632.8nm的He-Ne激光器作为光源,通过二波耦合方法测试晶体全息存储性能.实验结果表明:随着Li/Nb的增加,晶体的写入时间缩短,晶体的衍射效率降低,光折变灵敏度增加,动态范围减少.在一系列晶体中,Mg:Sc:Fe:LiNbO3晶体(Li/Nb=1.05)更加适合作为全息存储介质.
关键词:
铌酸锂晶体
,
提拉法
,
全息存储性能
,
缺陷结构
张文芹
,
黄雪琛
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.18.031
采用第一性原理计算了Bi掺杂BaTiO3陶瓷3种不同的晶格缺陷结构,分别为单独的BiBa掺杂缺陷模式(BTB模型),1个BiBa掺杂缺陷与1个VBa钡空位同时存在(BTB1模型),符合化学计量比的BiBa掺杂缺陷与VBa钡空位缺陷模式(BTB2模型).BTB模型显示缺陷结构是由施主掺杂机制控制的,Bi与周围的O原子形成典型的离子键,Ti4+-被还原成Ti3+.在BTB1模型中钡空位的存在则影响了Bi在晶格中与O的相互作用,Bi偏离初始的中心位置,与邻近的3个氧原子形成了弱的共价键,而正是由于这些弱的共价键导致缺陷附近的[TiO6]八面体产生较大畸变,削弱了Ti4+的极化能力,使缺陷附近的[TiO6]八面体极化能力减弱,此时缺陷结构是由Ba2+离子空位补偿机制控制的.而BTB2模型可以看成是BTB模型与BTB1模型的叠加,因此缺陷结构是由施主掺杂机制与Ba2+离子空位补偿机制共同控制的.
关键词:
BaTiO3
,
缺陷结构
,
空位补偿机制
,
施主掺杂机制
黄永平
人工晶体学报
基于晶体场理论,采用3d1离子在D2d对称中的晶场能级公式和EPR参量高阶微扰公式,计算了ThSiO4:V4+晶体的光谱和电子顺磁共振(EPR)参量g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥.计算结果与实验发现很好吻合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了V4+杂质中心缺陷结构的信息.对上述结果进行了讨论.
关键词:
晶体场理论
,
电子顺磁共振参量
,
缺陷结构
,
ThSiO4
,
V4+晶体
沈宗洋
,
胡其国
,
李月明
,
王竹梅
,
骆雯琴
,
洪燕
,
谢志翔
,
洪璐
稀有金属材料与工程
采用固相法制备了稀土氧化物Re2O3 (Re=Pr,Nd)掺杂SrTiO3陶瓷,其化学式为[Re0.02Sr0.97(Vsr)0.01]TiO3(Re0.02Sr0.97TiO3∶ Re-STO,Re=Pr,Nd).XRD分析结果表明,Re-STO陶瓷具有与纯SrTiO3(STO)陶瓷类似的单一立方钙钛矿结构.SEM分析发现Re-STO陶瓷的晶粒尺寸分布很不均匀,大晶粒在10 μm左右,而小晶粒只有1μm左右,小晶粒填充在由大晶粒形成的晶界或三角晶界处.采用HP4294精密阻抗分析仪、JJC9906-A介电强度测试仪以及FMRL偏压测试系统测试了Re-STO陶瓷的介电性能,并评价了其储能特性.结果表明:在最佳烧成温度1350℃制备的Re-STO陶瓷在1 kHz下的相对介电常数(Pr-STO∶εr=1860; Nd-STO∶ εr=1670)是纯STO陶瓷的(er=300)5倍以上,而介电损耗则保持在0.03(l kHz)以下;Re-STO陶瓷具有较高的击穿强度Eb＞15 kV/mm;在本研究的偏压测试条件范围内,Re-STO陶瓷的εr变化均在±12％以内,其储能密度与偏压则符合二次抛物线关系.因此Re-STO陶瓷可近似认为是线性电介质,是中高压固态储能介质材料理想的候选体系.本研究还对Re-STO陶瓷的相结构、微观结构以及可能的缺陷结构与其介电性能、储能特性之间的关系进行了讨论.
关键词:
钛酸锶
,
稀土掺杂
,
缺陷结构
,
高压电容器
,
储能陶瓷
张宏涛
,
朱建明
,
徐秉业
金属世界
doi:10.3969/j.issn.1000-6826.2009.z1.002
结构极限分析是塑性力学的一个分支,在结构及机械设计中有广泛的应用.由于工程应用中受各种因素的影响,使得结构存在各种各样的缺陷.对该类结构进行极限分析研究,能反映结构的实际安全程度,而且能充分利用材料塑性性能的潜力.本文利用权余法中的配点法和子域法,结合塑性极限分析理论对含缺陷板和含缺陷圆柱壳结构进行了承载能力分析,得到了一些有意义的结果.
关键词:
极限分析
,
权余法
,
缺陷结构
,
配点法
,
子域法
刘钟铃
,
李国明
,
童元建
,
徐樑华
,
史有好
玻璃钢/复合材料
利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)及能谱仪(EDS)对比研究了市售某国产碳纤维与日本东丽T300碳纤维的微晶结构与缺陷结构.结果发现,国产碳纤维的晶面层间距d002、微晶堆叠厚度Lc及微晶宽度La等参数与T300相当;但国产碳纤维晶区取向度π％更高,国产碳纤维中存在明显的洋葱结构,微晶条纹间的平行性与T300相比较差,国产碳纤维中存在Ca、Si、S等杂质元素.
关键词:
PAN碳纤维
,
XRD
,
HRTEM
,
EDS
,
微晶结构
,
缺陷结构
曹明贺
,
袁俊
,
周东祥
,
龚树萍
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.06.015
用TEM和EDS相结合的测试手段,研究了低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3PTCR陶瓷材料的界面元素分布.根据界面元素分布的情况,对低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1 02O3PTCR陶瓷界面可能存在的缺陷态进行分析,认为在低电阻率Ba0.92Ca0.8Ti1.02O3PTCR陶瓷界面上主要存在以下缺陷结构:Mn"Ti,Mn'Ti或Al'Ti,V"Ba.
关键词:
低室温电阻率
,
PTCR陶瓷
,
晶界
,
缺陷结构
