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直流和交流电压下典型缺陷模型局部放电波形比较分析

李晓华 , 吴广宁 , 边姗姗 , 彭倩

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.01.016

在直流电压和工频交流电压下分别测量了3种典型放电模型的局部放电波形,并对放电脉冲波形进行快速傅立叶变化处理得到频谱分析图.通过比较3种放电模型在两种电压条件下的放电波形,发现对于同种放电模型在两种电压条件下的放电脉冲波形均很相似,且放电能量频率分布范围相同.但在相同的电压条件下,3种放电模型的放电波形形状与频谱分析谱图存在区别,在相同的检测系统中,可以通过比较波形区分3种典型放电.

关键词: 局部放电 , 直流 , 交流 , 缺陷模型 , 放电波形

铌酸锂晶体的缺陷及其控制

贺祥珂 , 薛冬峰 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.025

针对铌酸锂晶体中的缺陷研究,本文总结了国内外学者提出的不同晶体缺陷模型及各自的特点,并介绍了我们提出的铌位依赖、锂位敏感模型.在分析晶体缺陷研究的基础上提出了对铌酸锂晶体进行缺陷控制的意义及理论依据,指出缺陷控制的主要任务是保护锂格位.本文还简要概括了铌酸锂晶体缺陷控制的主要手段,并建议从反映铌酸锂晶体性能的角度来研究缺陷结构.

关键词: 铌酸锂 , 缺陷模型 , 缺陷控制

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