冯德伸
,
李楠
,
苏小平
,
杨海
,
闵振东
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.01.007
采用直拉法生长 4 英寸低位错锗单晶,研究了热场温度梯度、缩颈工艺、拉晶工艺参数对单晶位错密度的影响,测量了单晶位错密度,结果表明位错密度小于3000.cm-2,满足空间GaAs/Ge太阳电池的使用要求.
关键词:
4英寸锗单晶
,
温度梯度
,
缩颈
,
工艺参数
,
位错密度
李春龙
,
沈益军
,
杨德仁
,
马向阳
,
余学功
,
阙端麟
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.03.011
系统介绍了直拉重掺硼(B)硅单晶研究的最新进展.主要内容包括重掺B硅单晶的基本性质,利用重掺B籽晶进行无缩颈硅单晶生长技术,重掺B硅单晶的机械性能,重掺B硅单晶中的氧和氧沉淀,以及B的大量掺杂与大直径直拉硅单晶中空洞型(Void)原生缺陷的控制关系.在此基础上,探讨了当前直拉重掺B硅单晶生产和研究中存在的主要问题.
关键词:
直拉硅
,
重掺硼
,
氧
,
缩颈
