张亚军
,
王乐
,
祖帅
,
钟传杰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.005
通过分析以PMMA[poly( methyl methacrylate)]为绝缘膜的MIS结构的电学特性,研究了分子量对PMMA薄膜电学特性的影响.PMMA薄膜通过旋涂溶于氯仿的20mg/ml PMMA溶液制成.PMMA薄膜厚度为220nm,临界电场超过1.8MV/cm.测量结果表明:(1)996K分子量PMMA薄膜的单位面积漏电流最小,仅有6.0×10-9/cm2.350K分子量的漏电流较大,为8.5×10 -9/cm2;(2)高电场下决定漏电流与场强关系的物理机制是肖特基发射,通过线性拟合计算出银电极与PMMA之间的势垒高度约为0.5eV;(3)分子量大的PMMA陷阱密度小.996K分子的最小,为4.7×1010/cm2.
关键词:
PMMA
,
绝缘膜
,
OTFTs
,
栅绝缘膜陷阱
,
C-V特性
