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化学镀CoP/Insulator/BeCu复合结构丝的巨磁阻抗效应研究

潘海林 , 程金科 , 赵振杰 , 阮建中 , 杨燮龙 , 袁望治

功能材料

采用含复合络合剂的碱性镀液,改变镀液配方组分和工艺条件在绝缘层上合成软磁性良好的CoP合金镀层,制备出CoP/Insulator/BeCu复合结构的巨磁阻抗效应材料.样品采用电流退火进行焦耳热处理.电流退火后,在较低频率下观察到显著的磁阻抗效应,在97kHz时最大磁阻抗效应为991%,磁场灵敏度高达2.78%/(A·m-1);在3kHz~30MHz的频率范围内,磁阻抗比率都在50%以上,具有很宽的频率应用范围.利用复数磁导率探讨材料的磁化特性,发现有效磁导率实部和虚部的频率特性在退火后发生了很大变化.

关键词: 化学镀 , 绝缘层 , CoP , 电流退火 , 巨磁阻抗效应

110kV交联电缆绝缘层晶体结构研究

朱爱荣 , 曹晓珑

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2005.02.009

通过X-射线衍射方法研究了110kV交联聚乙烯绝缘电缆绝缘层的结晶结构.发现电缆工艺中的热过程和热历史会造成超高压交联电缆绝缘层各部分结晶形态分布不均,中层聚集态结构均匀性较好,内层外层结晶程度低于中层.热应力改变了晶区中的晶面间距,显示出绝缘径向应力以张力为主.

关键词: 电力电缆 , 交联聚乙烯 , 绝缘层 , 结晶形态 , 热应力 , X-射线衍射

以ZnO为沟道层的薄膜晶体管制备研究

张新安 , 张景文 , 张伟风 , 王东 , 毕臻 , 张杰 , 侯洵

功能材料

采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT).用X射线衍射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的ZnO薄膜进行了表征.在硅衬底ZnO-TFT中,热氧化生长的二氧化硅薄膜作为绝缘层,金属铝用作源漏电极,该器件工作在N沟道增强模式,其阈值电压为8V,电流开关比为5×103,电子的场迁移率达到0.61cm2/(V·s).在以ITO玻璃为衬底的透明ZnO-TFT中,分别采用了SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3薄膜作为绝缘层,实验表明生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜都有很高的c轴择优取向,透明ZnO-TFT在可见光波段的平均透过率达到85%.

关键词: ZnO 薄膜 , 薄膜晶体管 , 绝缘层 , 光学透过率

化学镀带绝缘层LC共振型复合结构丝的巨磁阻抗效应

程金科 , 袁望治 , 潘海林 , 赵振杰 , 阮建中 , 杨燮龙

材料科学与工程学报

研究了LC共振型复合结构丝的巨磁阻抗效应并作了机理分析.用化学镀的方法制备了BeCu/绝缘层/NiCoP复合结构丝,由其自身构成串联LCR共振回路.该LC共振型复合结构丝的巨磁阻抗效应比一般型大幅度增加,长度为11cm的复合结构丝在频率f=24MHz时由一般型的54.7%增加到254.3%,增加了4.65倍.共振频率随复合结构丝长度的增加而减小.巨磁阻抗效应在共振频率附近迅速增强,而远离该频率则明显减小,具有很好的频率选择性.

关键词: 巨磁阻抗 , LC共振 , 化学镀 , 绝缘层

有机绝缘层材料聚(4-乙烯基苯酚)喷墨打印工艺研究

何慧 , 王刚 , 赵谡玲 , 刘则 , 侯文军 , 代青 , 徐征

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20122705.0590

通过压电喷墨打印方式在氧化铟锡(ITO)玻璃上直接图案化打印聚(4-乙烯基苯酚)(PVP),研究了不同浓度PVP的电学特性,从电容、漏电流、击穿场强几个方面进行了分析.结果表明,采用打印方式得到的PVP绝缘层在0~40V的外加电压下,漏电流密度在10-11~10-8A/cm2范围内,为打印方式制备高性能交联PVP(CL-PVP)介电层提供了必要的参考.

关键词: 聚(4-乙烯基苯酚) , 喷墨打印 , 有机薄膜晶体管 , 绝缘层

绝缘层材料及结构对薄膜晶体管性能的影响

李欣予 , 王若铮 , 吴胜利 , 李尊朝

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173205.0344

基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响.仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiNx和HfO2多种不同组合的叠层结构.仿真及实验结果表明:含有高k材料的栅绝缘层叠层结构较单一SiNx绝缘层结构的TFT性能更优;对SiNx/HfO2/SiNx栅绝缘层叠层结构TFT,HfO2取40 nm较为合适;对含有高k材料的3层和5层绝缘层叠层结构TFT,各叠层厚度相同的对称结构TFT性能最优.本文通过仿真获得了TFT性能较优的器件结构参数,对实际制备TFT器件具有指导作用.

关键词: 半导体器件仿真 , 薄膜晶体管 , 绝缘层 , 氮化硅 , 二氧化铪 , 叠层结构

110 kV XLPE电缆绝缘层内应力的测试方法与分析

黄振 , 聂诗超 , 王锐 , 李志伟 , 余欣 , 金海云

绝缘材料 doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2017.06.013

以110 kV XLPE电缆为研究对象,分析了XLPE电缆的绝缘层内应力的产生原因,然后对采用不同工艺生产的两种高压XLPE电缆A1和A2热处理前后的XLPE绝缘层进行X射线衍射法(XRD)分析,通过比较衍射峰参数的差异,分析晶面和晶面间距的变化规律,并计算得出XLPE绝缘层中的内应力.结果表明:XLPE电缆A1在两个晶面处的晶粒数目多于A2;电缆A1中的内应力为压应力,内层压应力最大,外层压应力最小;电缆A2中的内应力为拉应力,内层拉应力最大,中层拉应力最小.实验证明基于X射线衍射法分析检测绝缘层中内应力的方法是可行的.

关键词: 交联聚乙烯电缆 , 绝缘层 , X射线衍射 , 内应力分析

以陶瓷厚膜为绝缘层的绿色薄膜电致发光器件

唐春玖 , 朱文清 , 赵伟明 , 刘祖刚 , 蒋雪茵 , 张志林 , 许少鸿

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.01.008

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ZnS∶Er作发光层的绿色薄膜电致发光器件(CTFEL).器件结构为陶瓷基片/内电极/陶瓷厚膜/发光层(ZnS∶Er)/透明电极(ZnO∶Al).发光层是用电子束蒸发制备的,透明电极是采用溅射法制备的.器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,研究了器件的亮度-电压和效率-电压等特性.

关键词: 陶瓷厚膜 , 绝缘层 , 薄膜电致发光器件

薄膜绝缘层对陶瓷厚膜电致发光显示器件的影响

蒋玉蓉 , 周代兵 , 薛唯 , 喻志农 , 卢维强

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.06.002

采用丝网印刷技术,在Al2O3陶瓷板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL),整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极.对用不同薄膜绝缘材料制备的显示器件的特性进行测试、比较、分析,结果表明薄膜绝缘介质层对器件的阈值电压、发光亮度均有一定的影响,以复合绝缘层的性能最优.最后对器件的衰减特性进行了初步分析.

关键词: 电致发光 , 绝缘层 , 陶瓷厚膜

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