王茹
,
张正选
,
俞文杰
,
毕大炜
,
陈明
,
刘张李
,
宁冰旭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.017
本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固.辐射实验结果证明了该加固方法的有效性.PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力.
关键词:
绝缘体上硅
,
注氧隔离
,
总剂量辐照
,
纳米晶
贺威
,
张正选
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.020
SOI(绝缘体上硅)器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电.本文首先采用二维有限元方法,对辐射在SOI器件的埋氧层中的感生氧化物电荷进行模拟,然后分析此氧化物电荷对器件的外部电学特性的影响,建立了器件在最劣偏置下辐射引起的背栅MOSFET的阈值电压漂移模型,提取背栅MOSFET受辐射影响参数,以用于在SOI电路设计中准确的评估辐射对SOI电路的影响.模拟数据和试验数据具有很好的一致性.
关键词:
埋氧层
,
绝缘体上硅
,
总剂量辐射效应
,
模型
,
背栅
张波
,
陈静
,
魏星
,
武爱民
,
薛忠营
,
罗杰馨
,
王曦
,
张苗
功能材料
采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜.利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究.研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低.
关键词:
氮化镓
,
绝缘体上硅
,
侧向外延
