陈志君
,
张峰
,
王永进
,
金波
,
陈静
,
张正选
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.001
提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料.经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全.透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛.研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键.
关键词:
绝缘体上的硅锗
,
注氧隔离
,
埋氧
,
氧化
