李合琴
,
都智
,
储汉奇
,
聂竹华
材料热处理学报
用磁控溅射法在奥氏体不锈钢基片上制备了SiC单层膜和Ti／TiN双层膜以及Ti／TiN／SiC功能梯度薄膜。采用XRD和显微硬度计对薄膜的结晶质量和硬度进行表征；用AFM和SEM对薄膜的表面和截面形貌进行了表征。结果表明：Ti／TiN双层膜在氩氮流量比为15：15时，薄膜的结晶质量最好，硬度最高，达到15．6GPa，最适合作为钢基SiC薄膜的缓冲层。另外，功能梯度SiC薄膜比SiC单层膜的结晶质量好；不同退火温度下功能梯度SiC薄膜的硬度高于SiC单层膜，同时功能梯度SiC薄膜的表面结晶质量也优于SiC单层膜。
关键词:
功能梯度薄膜
,
SiC薄膜
,
奥氏体不锈钢
,
制备
,
Ti/TiN
,
显微硬度计
,
不锈钢基片
,
结晶质量
王彬
,
赵子文
,
邱宇
,
马金雪
,
张贺秋
,
胡礼中
人工晶体学报
利用磁控溅射法于500 ℃、550 ℃、600 ℃和650 ℃下在Al2O3(001)衬底上生长ZnO薄.对生长的ZnO薄膜后分别进行了800 ℃退火和1000 ℃退火处理.利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能.
关键词:
ZnO薄膜
,
磁控溅射
,
结晶质量
,
退火处理
张腾
,
钟志有
,
汪浩
人工晶体学报
以ZnO∶Ga2O3∶TiO2(97wt％∶1.5wt％∶1.5wt％)陶瓷靶作为溅射源,采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了钛镓共掺杂氧化锌(TGZO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪、四探针仪和分光光度计测试表征,研究了溅射功率对TGZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响.结果表明:所有TGZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且具有(002)择优取向,溅射功率对薄膜性能具有明显的影响.当溅射功率为200 W时,TGZO薄膜的结晶质量最好、电阻率最低、平均可见光透射率最高,品质因数最大(1.22×10-2 Ω-1),其光电综合性能最佳.另外,通过光谱拟合方法研究了溅射功率对TGZO薄膜折射率和消光系数的影响,并利用Tauc关系式计算了样品的光学能隙.
关键词:
氧化锌薄膜
,
溅射功率
,
结晶质量
,
电阻率
,
透过率
郝云霄
,
孙晓燕
,
张继军
,
介万奇
人工晶体学报
运用缺陷化学原理近似计算了Cd0.9Mn0.1Te晶体的点缺陷浓度,得到了晶体成分与理想化学计量比偏离最小时的退火条件.利用该退火条件,指导了Cd0.9Mn0.1Te晶体的两温区退火实验,并分析了退火对晶片性能的影响.结果表明:在973 K,Cd气氛下对Cd0.9Mn0.1Te晶片退火140 h后,晶片(111)面的X射线回摆曲线的FWHM值由退火前的168.8'' 降至108'',红外透过率由退火前48%提升到64%,接近晶体的理论透过率,电阻率也由退火前的2.643×105 Ω·cm提高到4.49×106 Ω·cm.由此可见,对生长态的Cd0.9Mn0.1Te晶体进行退火实验能提高晶体的结晶质量,补偿晶体的Cd空位点缺陷,使晶体成分接近理想的化学计量比.
关键词:
Cd0.9Mn0.1Te晶体
,
点缺陷
,
退火
,
Te沉淀相
,
结晶质量
曹章轶
,
吴敏
,
张冬冬
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201508014
采用低温三步共蒸发法在柔性聚酰亚胺衬底上制备了铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪表征了CIGSe薄膜的结晶质量和晶体结构,探讨了低温沉积工艺中第二步和第三步衬底温度与薄膜晶粒尺寸、织构取向和结晶性能的关系.结果表明:随着第二步和第三步衬底温度同时升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,镓的两相分离现象逐渐消失;保持第二步衬底温度不变,随着第三步衬底温度进一步升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸继续增大,薄膜的结晶质量显著改善;第二步和第三步衬底温度的变化对CIGSe薄膜的织构取向基本没有影响.
关键词:
铜铟镓硒薄膜
,
衬底温度
,
低温生长
,
结晶质量
吕文中
,
贾小龙
,
何笑明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.008
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料.当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射.本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响.结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性.本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜.
关键词:
ZnO薄膜
,
基片温度
,
c轴取向
,
退火
,
氩氧比
,
结晶质量
马玉英
,
刘爱华
,
任现坤
材料保护
常用的分子束外延、粒子束沉积法难以获得均匀、致密性好的单一相β-FeSi2薄膜,利用脉冲激光沉积及热退火处理法在P型Si(100)基片上制备了均匀的单一相β-FeSi2薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电镜、原子力显微镜及红外光谱仪研究了靶基距对β-FeSi2薄膜的结构、组分、结晶质量、表面形貌及光吸收特性的影响.结果表明:随着靶基距的增加,薄膜的晶化程度先变差后增强再变差,晶粒尺寸先减小后增大再减小,颗粒分布均匀性先变好后变差;表面粗糙度先减小后增大;靶基距为40 mm时,β-FeSi2薄膜的结晶度较高,颗粒大小均匀、趋于球形化,薄膜致密性较好,粗糙度较低,对红外光的吸收较好.
关键词:
脉冲激光沉积
,
β-FeSi2薄膜
,
靶基距
,
结晶质量
,
光吸收特性
石彪
,
刘学超
,
周仁伟
,
杨建华
,
郑燕青
,
施尔畏
人工晶体学报
本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的“缓冲层”上生长了3C-SiC薄膜.结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现“镶嵌”结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞.碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势.当在1200℃下制备的“缓冲层”上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其(200)晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2nm.
关键词:
3C-SiC
,
碳化
,
结晶质量
,
缓冲层
许建华
,
赵北君
,
朱世富
,
陈宝军
,
何知宇
,
万书权
人工晶体学报
结合差示扫描量热曲线(DSC)和相图确定出热处理的温度范围.分别在真空和AgGa1-xInxSe2(x=0.2,0.6,0.8)多晶粉末包埋下,对ASGa0.4In0.6Se2晶体进行了热处理实验,分析了热处理对晶体性能的影响.结果表明:用x=0.6和0.8的多晶粉末包埋,在680℃下保温120 h后再淬火处理的晶片,其红外透过率在550～5500 cm-1波数范围内整体提高到65%以上,光学质量显著提高;EDX和XRD分析表明,采用AgGa0.2In0.8Se2多晶粉末包埋,能够补充晶片中的In缺失,成分更接近AgGa0.4In0.6Se2化学计量比,同时晶片结晶质量也得到明显改善.
关键词:
AgGa1-xInxSe2
,
热处理
,
红外透过率
,
热分析
,
光学质量
,
结晶质量
