张智丹
,
纪松
,
张延松
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.02.018
采用霍普金森压杆装置研究PVDF压电薄膜和PZT-5压电陶瓷在冲击载荷作用下的输出线性度、响应时间和灵敏度.结果表明,在冲击载荷≤70 MPa时,FZT-5的灵敏度为653.8 pC/N;PVDF压电薄膜在冲击载荷为0-500 MPa的范围内,输出电荷量具有很好的线性度,灵敏度为16.4 C/N;PVDF压电薄膜和PZT-5压电陶瓷的响应时间与冲击载荷幅值大小有关,随着冲击载荷幅值的增大响应时间减小.
关键词:
PVDF
,
PZT-5
,
线性度
,
响应时间
,
灵敏度
周涛
,
陆晓东
,
吴元庆
人工晶体学报
利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了在不同上表面非金属接触区域复合速率(FSRV)、光强(Pin)及光照基区横向宽度(SBL)的情况下,硅NPN红外光电晶体管输出光电流(IL)及输出光电流线性度的变化特点和规律.仿真结果表明:当SBL一定时,随着FSRV的增大,在不同P.的情况下,光电晶体管的IL均减小.当FSRV较小(50～5000 cm/s)时,不同Pin情况下光电晶体管的IL差别较小.当FSRV较大(＞5000 cm/s)时,随着FSRV的增大,不同Pin情况下光电晶体管的IL显著降低.当FSRV—定时,随着SBL的增大,不同Pin情况下光电晶体管的IL均有不同程度的增大.随着SBL和Pin的进一步增大,不同FSRV情况下的IL均逐渐趋于饱和状态.当SBL一定时,FSRV越小,IL进入饱和状态所对应的临界Pin越小.当FSRV—定时,SBL越大,IL进入饱和状态所对应的临界Pin越小.
关键词:
光电晶体管
,
光照基区
,
光电流
,
输出特性
,
线性度
,
优化
