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用电子顺磁共振和静磁化率研究Co掺杂CeFeAsO的磁性

孙彬 , 吕艳娣 , 冷荣军 , 阮可青

低温物理学报

我们合成了不同CO掺杂浓度的CeFe1-xCoxAsO,并测量其电输运性质和静磁化率.最佳掺杂浓度为x(CO)=0.15,且超导温度Tc=11.3K.超导电性发生在很窄的掺杂范围内.静磁化率和电子顺磁共振测量显示在0.15和0.2两个组分样品中存在磁扰动.磁扰动与顺磁存在竞争关系.

关键词: 电子顺磁共振强度 , g因子 , 静态磁化率 , 线宽

La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3(x=0.04,0.08,0.12)体系的电子自旋共振谱研究

刘宁 , 严国清 , 郭焕银

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.02.001

用固相反应法制备了La0.3Ca0.7Mn1-xWxO3(x=0.04,0.08,0.12)多晶材料,测量了样品的p~T曲线及ESR谱,对ESR谱的归一化强度和线宽进行了研究.结果表明:当x≤0.08时,ρ~T曲线出现弯折点,体系出现电荷有序(CO)相,体系随温度降低发生顺磁(PM)-电荷有序(CO)-反铁磁(AFM)变化;当x=0.12时,ρ~T曲线没有出现弯折点,CO相融化,自旋序主要是顺磁(PM),但存在CO相的残留.x≤0.08样品的线宽在高于Tco的温区几乎不随温度变化,体系处在顺磁态,铁磁关联较弱;在低于Tco的温区,电子的局域化程度增强,线宽随温度的降低而增加.

关键词: 电荷序 , 自旋序 , 融化 , 归一化强度 , 线宽

V型无反转激光的非绝热线宽

熊锦 , 胡响明 , 彭金生

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.02.003

应用c数量子朗之万方法在激光场的低阶近似下讨论了强相干驱动场下V型三能级系统无反转激光的非绝热线宽.证明了在强驱动场下,不管激光腔是"好腔"还是"坏腔",系统的非绝热效应消失,即系统均可作绝热近似.

关键词: 驱动场无反转激光 , 绝热 , 非绝热效应 , 线宽

囚禁汞(199Hg+)离子Zeeman谱及磁场效应

黄雄 , 杨玉娜 , 柳浩 , 高克林 , 佘磊 , 李交美

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.01.004

囚禁汞离子的光微波双共振实验是开展汞离子微波频标的实验基础.二级Zeeman效应是影响频率稳定度和磁场效应的重要因素之一.利用光学微波双共振方法测量了囚禁199Hg+离子基态Zeeman分裂.通过减小微波扫描的频率范围,得到钟跃迁频率和谱线线宽.采用磁屏蔽材料(坡莫合金)对离子阱囚禁区域的磁场进行屏蔽.使得囚禁汞离子的钟跃迁谱线的线宽减小到1.5 Hz.相对于无磁场屏蔽时,钟跃迁频率减小13.5 Hz,并利用二级Zeeman效应估算出磁屏蔽后离子囚禁区域磁场大小为0.1高斯.

关键词: 光谱学 , 囚禁汞离子 , 磁场效应 , 线宽

Ba原子6s2 1S0-6s6p3P1跃迁Hanle效应实验研究

余庚华 , 仲嘉琪 , 王谨 , 詹明生

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.03.001

Ba原子是光频标的候选者之一,对其进行有效的激光冷却与囚禁需要相关能级的寿命和跃迁几率的信息.Ba原子激发态6s6p3P1能级在激光冷却实验中很重要,通过Hanle效应实验测量了这一能级的寿命和自发辐射率,从理论和实验上研究了探测激光有限线宽和光强对Ba原子基态6s21S0与激发态6s6p3P1之间跃迁(波长791nm)Hanle效应荧光信号的影响.在考虑了激光线宽和光强因素后所得到的激发态6s6p3P1的能级寿命和自发辐射率与其他方法给出的结果符合很好.

关键词: 光谱学 , 能级寿命 , Hanle效应 , 线宽 , Ba原子 , 原子频标

新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究

靳福江 , 卢兵 , 朱凤稚 , 罗峰 , 柳星 , 代伟男 , 刘华 , 范峻

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0521

介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0~1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3~0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5~2.0 pm,达到5.0~5.5 μm,可以满足目前高PPI(单位面积像素个数)产品对透过率和对比度要求.

关键词: 黑矩阵 , 线宽 , 相位移掩膜板 , 背面曝光

TFT-LCD Stage Mura的研究与改善

肖洋 , 周鹏 , 闫润宝 , 郑云友 , 齐勤瑞 , 魏崇喜 , 章旭 , 张然

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173204.0269

TFT-LCD面板在屏幕上有斑点或波浪状Mura,影响液晶显示器的品质,经过图形匹配,缺陷与曝光机机台形貌匹配.通过对异常区域特性分析,发现异常区域的BM CD、BM 像素间距存在异常.对原因进行模型分析:玻璃在曝光机基台上局部区域发生弯曲,曝光距离变短,致使BM PR受光区域变小,BM CD会偏小,进而导致区域性透过光不均一产生Mura;玻璃弯曲后BM 像素间距相对于设计位置也会发生变化,从而导致漏光产生Mura.经过实验验证,BM CD和像素间距的偏差主要由机台凸起导致glass弯曲引起,可以通过降低吸附压力和研磨机台,来改善CD差异和像素间距偏移,同时像素间距偏移漏光,也可以通过增加CD来改善.最终通过BM CD增加、研磨机台和降低吸附压力措施,Stage Mura不良率由10.05%下降至0.11%.

关键词: 薄膜晶体管液晶显示器 , 色斑 , 线宽 , 像素间距

铁磁/反铁磁双层膜中自旋波交换偏置的理论与实验分析

谭健敏 , 郑勇林 , 卢孟春 , 包秀丽 , 郭红霞

低温物理学报

考虑铁磁/反铁磁界面粗糙度的随机性及局域外单向的界面能的随机性,考虑原子尺度在交换偏置强度上的至关作用,提出随机场效应概念.对(Fe/FeF2)研究表明,交换偏置和自旋波线宽频率在铁磁/反铁磁双层界面是依赖于外部磁场的.应用玻恩近似,计算了交换偏置对随机场的依赖,由于界面的粗糙度,证明了在反铁磁层出现时在界面自旋波线宽的增加,但自旋波随机场线宽随着外磁场增加而减小,在较大的外场下,从实验能观察到扩展的峰.

关键词: 铁磁/反铁磁 , 自旋波函数 , 线宽 , 交换偏置

非标准情况下衰荡光谱的理论分析

聂劲松 , 张为俊 , 杨禺页 , 王沛 , 程平 , 邵杰 , 葛传文 , 胡欢陵

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.03.007

本文研究了当激光脉冲线宽远大于被测吸收物质的吸收线宽时,衰荡光谱满足的规律,以及在这种情况下,测量灵敏度的大小.

关键词: 衰荡光谱 , 线宽 , 灵敏度

注入锁定光纤环形腔激光器实验研究

俞本立 , 钱景仁 , 罗家童 , 孙志培 , 曹卓良

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.06.012

利用注入锁定技术,将中心频率稳定、窄线宽的DFB LD作为主激光器,将光纤环形腔激光器作为从激光器.在实现注入锁定后,利用光纤环形腔谐振特性,有效压窄了注入光线宽.得到了中心频率稳定,较之DFBLD线宽更窄的输出激光,目前线宽已被压窄到70 kHz.

关键词: 注入锁定 , 光纤环形腔激光器 , 线宽

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