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高C轴取向纳米ZnO薄膜的制备工艺研究

徐芸芸 , 张韬 , 陈磊

表面技术

采用射频磁控溅射工艺,用高纯ZnO粉末制作靶材,在普通玻璃基片上制备高度C轴取向且残余应力低的纳米ZnO薄膜,并分析其退火前后的组织和微结构.结果表明:在试验范围内,溅射态ZnO薄膜的组织都均匀、致密,晶粒尺寸小于50nm,具有高度的C轴取向,但膜内有残余拉应力,混晶取向且结晶性差的ZnO薄膜的残余应力大;提高氧分压有利于薄膜C轴取向生长和提高晶化程度;在500℃保温2h退火,薄膜内残余应力显著降低,晶化程度提高,晶粒尺寸略有增加.

关键词: 纳米ZnO薄膜 , RF磁控溅射 , 退火 , 残余应力

溶胶-凝胶法制备纳米ZnO薄膜的结构和光学性质

张孔辉 , 肖芝燕 , 张喜田

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.023

采用溶胶-凝胶方法制备纳米ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,薄膜具有六角纤锌矿多晶结构,且随水解时间的增加,粒子尺寸逐渐增大.室温下,观察到近带边紫外发射和较强的可见区(2.45eV)发射.红外吸收光谱研究表明ZnO薄膜表面存在单齿、双齿和桥状结构的醋酸锌副产物,阐述了不同结构醋酸锌副产物对ZnO薄膜可见区发光性质的影响.

关键词: 光致发光 , 醋酸锌副产物 , 溶胶-凝胶 , 纳米ZnO薄膜

丝网印刷纳米ZnO薄膜阴极场致发射的研究

张秀霞 , 魏舒怡 , 朱长纯

材料导报

鉴于化学气相沉积生长方法成本高且很难制备出大面积均匀的纳米ZnO薄膜,采用成本低的丝网印刷方法制备了大面积纳米ZnO阴极薄膜.测试研究了分散、热烧结、退火处理对ZnO薄膜的场致发射特性的影响,提出了低成本丝网印刷制备大面积ZnO薄膜阴极热烧结和退火处理的工艺,根据样品的形貌、发射特性和均匀稳定发光的阳极可以判断,最高温度843K的热烧结和823K、10min的退火处理适实用于制作大面积纳米ZnO薄膜场致发射阴极.

关键词: 丝网印刷 , 纳米ZnO薄膜 , 场致发射冷光源

热氧化法制备纳米ZnO薄膜及其发光特性的研究

王丹 , 张喜田 , 刘益春 , 张吉英 , 吕有明 , 申德振 , 范希武

功能材料

用热氧化ZnS薄膜方法制备纳米ZnO薄膜, 并用X射线衍射谱,光致发光谱表征和研究纳米ZnO薄膜结构特征及热氧化温度对薄膜质量的影响. X射线衍射结果表明纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构,且随热氧化温度升高,薄膜晶粒尺寸逐渐增大.光致发光谱是由紫外激子发光和与氧空位有关的深能级缺陷发光组成的,且随热氧化温度升高,激子发光峰发生红移,激子发光和深能级缺陷发光强度之比逐渐增大,在热氧化温度为800℃时,其比值为10.

关键词: 纳米ZnO薄膜 , X射线衍射 , 紫外光致发光

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