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李蔚 , 高濂 , 郭景坤 , 宫本大树 , DIAZ DE LA TORRE Sebastian
无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.025
本文采用放电等离子烧结技术(SPS)快速烧结纳米3Y-TZP材料.利用SPS技术快速烧结,可制备出完整、致密的3Y-TZP材料.在烧结温度为1300℃、保温3min条件下,相对密度达98.2%,晶粒仅100~130nm.研究发现:材料的密度随烧结温度的变化趋势与一般快速烧结有明显区别;材料的晶粒随烧结温度的提高而长大,但长大幅度小于其他一些烧结方法所得的3Y-TZP材料.本研究对这些现象进行了理论解释.研究同时表明:通过提高烧结速率制备晶粒<100nm的3Y-TZP材料是很困难的.
关键词: 纳米3Y-TZP , 放电等离子烧结