何华辉
,
邓联文
,
冯则坤
,
江建军
功能材料
采用磁控溅射工艺和复合靶技术制备FeCoB-SiO2磁性纳米颗粒膜;利用X射线衍射仪、扫描探针显微镜分析这类薄膜的微结构和形貌特征;采用振动样品磁强计、四探针法、微波矢量分析仪及谐振腔法测量薄膜试样的磁电性能和微波复磁导率;重点对SiO2介质相含量、薄膜微结构对电磁性能产生重要影响的机理做了分析和探讨.结果表明,这类FeCoB-SiO2磁性纳米颗粒膜具有良好的软磁性能和高频电磁性能,2GHz时,磁导率μ＞50,可以应用于高频微磁器件中.
关键词:
纳米颗粒膜
,
微波物性
,
复磁导率
,
微磁器件
封顺珍
,
孙会元
,
于红云
,
高凤菊
,
贾连芝
功能材料
在室温下,用对靶磁控溅射法制备了系列类三明治结构C/Co/C颗粒膜.C靶和Co靶分别采用射频溅射和直流对靶溅射模式,并且随后进行了原位退火.用振动样品磁强计(VSM)和扫描探针显微镜(SPM)系统研究了C/Co/C颗粒膜的微结构和磁特性与磁性层厚度、非磁性层厚度、退火温度的关系.X射线衍射(XRD)图样显示出退火400℃的样品具有很好的六角密堆积结构.扫描探针显微镜图样和δM曲线说明Co纳米颗粒嵌在非晶质的C母基内.振动样品磁强计测量表明磁矩很好的排列在膜面内,随着磁性层Co层厚度的增加,矫顽力(Hc)先增大然后减小.在Co层厚度为20nm,C层厚度为30nm,退火温度400℃时,矫顽力达到最大值,剩磁比(S)接近于1.
关键词:
纳米颗粒膜
,
磁控溅射
,
矫顽力
,
剩磁比
,
原位退火
胡骏
,
孙会元
,
苏振访
,
许佳玲
,
封顺珍
功能材料
在室温下,应用对靶磁控溅射设备制备了系列Cu(x nm)/CoCrPt(40nm)/Cu(20nm)三明治结构的纳米颗粒膜,随后进行了原位退火.实验发现Cu覆盖层的厚度(x)对颗粒膜的微结构和磁特性有很大影响.样品垂直方向的矫顽力在x=11nm时达到最大,为138kA/m,平行于膜面方向的矫顽力基本上与x的变化无关,且所有的样品都显示出很强的垂直各向异性.退火后的CoCrPt薄膜呈六角密堆积(HCP)结构,AFM和MFM测量显示在x=11nm时,颗粒的平均粒径和磁畴尺寸均为最小.开关场分布(SFD)的测量表明,退火有效地减弱了颗粒间的交换耦合作用.
关键词:
磁记录
,
纳米颗粒膜
,
矫顽力
,
垂直各向异性
郭磊
,
江建军
,
邓联文
,
何华辉
功能材料
研究了采用磁控溅射沉积方法制备的FeCoB-SiO2纳米颗粒膜.分析在77～300k的温度范围测量得到的电阻率温变曲线,表明FeCoB-SiO2纳米颗粒膜在不同体积比含量下存在不同的导电行为,由此可获得随着金属颗粒组分的增加该颗粒膜由绝缘性质导电机理向金属性质导电机理转变的逾渗阈值.进一步的测量在2GHz下获取薄膜的复数磁导率、复数介电常数和静态磁参数,表明在逾渗阈值附近,FeCoB-SiO2纳米颗粒膜具有较高的磁导率和较低的介电常数,较高的电阻率,较高的饱和磁化强度.研究结果表明颗粒膜电磁特性在磁记录材料、磁传感器、磁存储和雷达波吸收材料等方面具有一定的应用前景.
关键词:
纳米颗粒膜
,
逾渗阈值
,
体积比
,
电阻率
孙会元
,
封顺珍
,
聂向富
,
孙玉平
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2005.02.009
应用对靶磁控溅射法在玻璃基底上制备了类三明治结构C/Co/C纳米颗粒膜,并进行了原位退火.发现磁性层厚度对C/Co/C颗粒膜的微结构和磁特性有明显影响.在400℃退火的样品具有很好的六角密堆积结构,磁矩很好的排列在膜面内.随着磁性层Co层厚度的增加,矫顽力Hc先增大然后减小,粒径和磁畴簇略微增大,样品的表面粗糙度Ra也减小到了0.5 nm左右.
关键词:
无机非金属材料
,
纳米颗粒膜
,
磁控溅射
,
矫顽力
,
剩磁比
,
原位退火
