栗大超
,
徐临燕
,
傅星
,
胡小唐
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.036
本文阐述了基于原子力显微镜(AFM)的弯曲测试测量纳米梁厚度的理论和方法,并界定了基于AFM的厚度测量方法的适用条件,对基于AFM的厚度测量的两个典型应用进行了介绍.对硅纳米梁进行了厚度测量,并进行了重复性实验,梁的平均测量度为160.36nm.
关键词:
纳机电系统
,
纳米梁
,
厚度测量
,
AFM
,
弯曲测试
成海涛
,
杨恒
,
王跃林
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.014
常规的通过干法刻蚀制作纳米梁的方法会不可避免地在梁上引入晶格损伤层.本文提出一种制造无晶格损伤层纳米梁的新工艺方法.在常规光刻后,辅助利用FIB(聚焦离子束)刻蚀修改硅梁中部上方的SiO2掩模.根据单晶硅的材料和工艺特点,通过KOH各向异性腐蚀,硅梁两侧壁与硅片表面垂直,并自停止为(111)面.自停止面自校正地沿<112>晶向自硅梁中部向两端扩展,直至硅梁成型.经过冷冻干燥,最终在(110)SOI硅片上制得了宽度为112nm的单晶硅纳米梁.自校正的腐蚀方式提升了工艺稳定性,并且由于结合利用了湿法腐蚀和FIB技术,此工艺方法具有无晶格损伤层、工艺重复性好、加工精度高等优点.
关键词:
纳米梁
,
各向异性腐蚀
,
FIB
