叶林森
,
赵北君
,
朱世富
,
何知宇
,
任锐
,
王瑞林
,
钟雨航
,
温才
,
李佳伟
功能材料
硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料,实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了Φ15mm×40mm,电阻率为107～108(Ω·cm)量级的硒化镉单晶体.对生长的硒化镉单晶体(110)解理晶片进行XRD、红外透过测试,结果显示:硒化镉单晶体完整性好,红外透过率＞62%,表明用二步提纯,在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体,能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比.
关键词:
硒化镉
,
晶体生长
,
气相垂直提拉
,
电阻率
,
红外表征
王明华
,
黎潮
,
王凤栾
,
宫振宇
,
翟玉春
材料与冶金学报
doi:10.3969/j.issn.1671-6620.2011.04.004
溴化四正丙基胺在化学化工方面有着广泛的应用,尤其在合成催化剂时可作为相转移催化剂制备均匀颗粒.本文研究了反应温度、反应时间、不同溶剂对溴化四正丙基胺产率的影响,在80℃反应10 h,以N,N-二甲基甲酰胺做溶剂时,产率最高达到27.50％.红外光谱表明,溴化四正丙基胺需在80℃以下干燥,温度过高会使其分解.
关键词:
溴化四正丙基胺
,
产率
,
红外表征
