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离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究

刘焕林 , 郝瑞亭 , 杨宇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.017

采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si/Ge多层膜.通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si/Ge多层膜样品.通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析(AFM)等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系.在小束流(10mA)、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si/Ge多层膜.通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能.

关键词: Si/Ge多层膜 , 离子束溅射 , 红外探测材料