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沉积温度对a-C:F薄膜结构与热稳定性的影响

陈玲玲 , 程珊华 , 宁兆元 , 辛煜

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.007

在不同的沉积温度下,利用CHF3和C2H2为气体源,在微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)系统中制备了氟化非晶碳(a-C:F)薄膜,为了研究其热稳定性,薄膜在500℃的真空中作了退火处理.测量了退火前后其电学、光学性质的变化,使用FTIR、Raman、XPS方法考察了其结构随沉积温度的变化,分析了性质同结构之间的关联.结果表明,在高的沉积温度下制备的薄膜中的F/C比较低,CF2和CF3键成分较少而以CF键成分为主,其交联程度高,因而具有较好的热稳定性.

关键词: a-C:F , 沉积温度 , 红外吸收谱 , 热稳定性

K2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长的近化学计量比LiNbO3晶体性质的比较

王海丽 , 杭寅 , 张连瀚 , 祝世宁 , 徐军

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.011

分别采用K2O助溶剂提拉法和富锂提拉法生长了近化学计量比LiNbO3晶体.比较了两种方法生长的晶体紫外吸收边和红外吸收谱的差别,光谱结果表明,K2O助溶剂提拉法生长的晶体组成非常均匀,而富锂提拉法生长的晶体组成不均匀,沿晶体生长方向,Li2O含量逐渐增加.另外,两种生长方法中,籽晶表面均看到螺旋状环,分析了其产生原因.

关键词: 近化学计量比LiNbO3晶体 , K2O助溶剂提拉法 , 富锂提拉法 , 紫外吸收边 , 红外吸收谱

La2/3Sr1/3MnO3掺杂RE(RE=Pr、Eu、Y、Tb)的结构、红外及磁学性质

刘建 , 云国宏 , 杨智慧 , 吴江波 , 张飞 , 王耀强 , 徐文清 , 李晓平 , 苏美琳 , 杨丹

功能材料

采用空气中固相反应烧结法制备了一系列钙钛矿结构的(La1-xREx)2/3Sr1/3MnO3(RE=Pr、Eu、Y、Tb;x=0、0.3或0.4)掺杂稀土锰氧化物多晶样品.X射线衍射(XRD)分析表明随着RE离子半径的减小,样品XRD的衍射峰位置普遍向高角度偏移,2θ增大0.02~0.62°.扫描电镜(SEM)观测的结果表明掺杂RE离子的半径越小,形成多晶样品的晶粒越小,未掺杂RE的La2/3Sr1/3MnO3在所有的样品中晶粒最大.红外吸收光谱测量发现样品在599~629cm-1范围出现了吸收峰并且峰的位置随掺杂RE离子半径的减小而向低频方向偏移.样品的磁性质测量表明掺杂稀土离子的半径及磁矩对材料的磁电阻有明显影响.

关键词: La2/3Sr1/3MnO3 , 晶体结构 , 红外吸收谱 , 磁性质 , 稀土 , 掺杂

Si和C共掺杂的SiO2薄膜的光致发光

成珏飞 , 吴雪梅 , 诸葛兰剑 , 王文宝

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.002

采用双离子束溅射技术制备了Si和C共掺杂的SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理.分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性,在该样品中观察到分别位于410nm和470nm的两个发光峰.这两个发光峰的强度随着退火温度的变化呈现不同的变化趋势,表明两个发光峰的来源并不相同.用XRD和FTIR测试手段分析了样品的结构,认为470nm的发光来源于中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),而410nm的发光来源于Si1-xCx纳米晶粒与SiO2基质之间的界面缺陷.

关键词: 光致发光 , 红外吸收谱 , 碳化硅 , 双离子束溅射

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